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oe1(光电查) - 科学论文

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出版时间
  • 2018
研究主题
  • A1. 吸收光谱 B2. 闪烁体材料 B1. Cs2LiLaCl6:Ce B3. 中子探测 A2. 布里奇曼法
应用领域
  • 材料科学与工程
机构单位
  • Ningbo University
  • Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences
  • China Academy of Engineering Physics
39 条数据
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  • Cs2LiLaCl6:Ce单晶的生长与表征

    摘要： Cs2LiLaCl6:Ce（CLLC）是一种极具潜力的双伽马/中子探测闪烁体材料。研究首次采用富LiCl熔体和高轴向温度梯度的垂直布里奇曼法，成功生长出透明CLLC晶体?；Ъ屏勘菴LLC粉末以343-442°C的熔融区间发生不一致熔融。额外添加LiCl可抑制从化学计量比熔体生长的晶体中出现的Cs3LaCl6第二相。研究发现CLLC具有约1358 cm-1的斯托克斯位移和34.6 ns的光致发光衰减时间。X射线诱导发光光谱主要源于Ce3+离子的直接电子-空穴俘获和芯-价带发光。尺寸为9×8 mm3、掺杂0.5at% Ce的CLLC晶体在662 keV能量下展现出7.1%的能量分辨率。该晶体受662 keV伽马激发时的闪烁衰减时间分别为79 ns和1491 ns。

    关键词： A1. 吸收光谱 B2. 闪烁体材料 B1. Cs2LiLaCl6:Ce B3. 中子探测 A2. 布里奇曼法

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [IEEE 2018年第57届日本仪器与控制工程师学会年会(SICE) - 奈良(2018.9.11-2018.9.14)] 2018年第57届日本仪器与控制工程师学会年会(SICE) - 基于红外光谱的羊绒纤维各加工阶段分子结构评价

    摘要： 本文提出一种利用红外光谱技术分析羊绒纤维各加工步骤分子结构的方法。在羊绒制品生产过程中，手感品质与强度常出现下降。为探究原因，从蒙古获取了各工序羊绒纤维样品。通过红外光谱的ATR法可测量羊绒纤维吸收光谱。洗涤工序未显示分子结构变化，仅去除羊毛脂。对测得光谱进行波形分离后分析了羊绒纤维分子结构。各工序（此处乱码部分疑似蛋白质二级结构图谱）羊绒纤维中，漂白脱色工序因氧化还原反应导致半胱氨酸含量增加。因此羊绒制品品质下降的原因在于漂白脱色工序的化学处理。该研究成果已应用于羊绒纺织产品制造过程的质量评价方法。

    关键词： 吸收光谱、红外光谱、分子结构、羊绒纤维、波形分离

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 酸(气)/碱(气)调控的功能性染料薄膜吸收光谱可逆Δν1/2变化

    摘要： 紫外-可见吸收光谱的半高宽（FWHM）不仅对描述光谱形状具有重要意义，还能决定有机染料在特定应用中的适用性。例如，具有较宽吸收半高宽的有机染料有助于提高太阳能电池的光子吸收效率；而要改善滤光片的色彩纯度，则需要较窄的半高宽。尽管这一参数至关重要，但目前针对固态有机染料吸收半高宽调控的研究仍相对匮乏。本工作提出一种快速、简便且有效的方法，通过有机溶剂蒸汽调控基于方酸菁的染料（SQ）薄膜的吸收半高宽。对SQ薄膜交替施加碱/酸气体处理（每种气体2.0秒），可实现可逆的吸收半高宽变化（ΔFWHM：121纳米）。系统性的光学与形貌表征表明，这种半高宽变化源于碱/酸蒸汽高效扩散至SQ薄膜后，单体型与H-聚集体型SQ分子构象之间的可逆转变。此外，该调控过程对重复气体处理表现出优异的抗疲劳性，确保了实际应用可行性。这些结果表明，本工作提出的简易气体处理工艺能有效调控多种有机染料的吸收半高宽。

    关键词： 气体处理、聚集、有机染料、半高宽、单体、吸收光谱

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 为染料敏化太阳能电池制备的氧化铁和硫化铁薄膜

    摘要： 本文综述了氧化铁薄膜及其硫化处理在染料敏化太阳能电池（DSSC）中的应用前景。采用空心阴极等离子体射流（HCPJ）溅射法制备氧化铁薄膜，工作气体氩气中混入氧气，并以铁喷嘴作为溅射靶材。放电过程在连续模式下由恒流源供电，在脉冲模式下由恒压源供电。通过能量分辨质谱仪测量等离子体成分，同时展示了薄膜的二次电子显微镜（SEM）、能量色散X射线光谱（EDX）、吸收光谱及拉曼光谱。研究发现氧化铁薄膜颜色与其相组成存在强关联性。将氧化铁薄膜在350°C下进行硫化处理，从磁铁矿获得了较纯净的黄铁矿相，而从赤铁矿则获得含黄铁矿相杂质的白铁矿。研究表明硫化处理对薄膜微观结构影响较小。

    关键词： 氧化铁、吸收光谱、空心阴极等离子体射流、染料敏化太阳能电池、硫化铁

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 具有银核和J-聚集体染料壳的纳米粒子二聚体中近场电磁耦合效应

    摘要： 我们报道了一项关于等离子体-激子耦合效应影响由金属核与J-聚集体染料壳层构成的双层杂化纳米粒子对吸收光谱的理论研究。研究表明，由于等离子体与有机壳层弗伦克尔激子之间的近场相互作用，会导致等离子体谱线发生频率转换。该效应使得杂化粒子体系的长波部分光谱中出现额外的谱线，这些新增谱线的形状及相对强度精确复现了未包覆金属纳米粒子原始等离子体吸收带谱的特征。这一发现可用于设计基于等离子体-激子效应和近场光学原理的新型高灵敏度纳米传感器。

    关键词： 近场电磁耦合、纳米光子学、弗伦克尔激子、金属有机纳米粒子二聚体、等离子体-激子相互作用、分子J-聚集体、局域等离子体、吸收光谱

    更新于2025-09-23 00:22:15

  • [IEEE 2018年亚洲通信与光子学会议（ACP）- 中国杭州（2018.10.26-2018.10.29）] 2018年亚洲通信与光子学会议（ACP）- 伽马射线辐照对铋/铒共掺光纤荧光寿命的影响

    摘要： 我们报道了辐射对铋和铒共掺光纤荧光寿命(FLT)的影响。对于1138 nm的发射峰，其FLT在0-0.3 kGy范围内增加，随后在0.3-3 kGy范围内下降。然而，对于Er3+的1534 nm发射峰，其FLT始终呈下降趋势。

    关键词： 伽马辐照、FLT、BEDF、吸收光谱

    更新于2025-09-23 04:09:18

  • InGaAs膜波导：单片集成中红外光学气体传感器的有前景平台

    摘要： 基于集成光子电路的中红外（mid-IR）吸收光谱技术在痕量气体传感领域展现出巨大潜力，其中中红外辐射直接与目标分析物相互作用。本文针对集成量子级联激光器（QCL）和量子级联探测器（QCD）的单片集成电路，选用InGaAs-InP平台制备无源波导气体传感器件。我们在低折射率对比的InGaAs-InP平台上，为λ=6.15μm的中红外传感设计并制备了具有多孔光子晶体波导（HPCW）和亚波长光栅包层波导（SWW）的全悬浮InGaAs波导器件。实验采用1毫米长悬浮HPCW和3毫米长悬浮SWW分别检测到5 ppm氨气，其传输损耗分别为39.1 dB/cm和4.1 dB/cm。基于比尔-朗伯红外吸收定律及分立元件实验结果，我们估算QCL/QCD集成SWW传感器的最小可检测气体浓度为84 ppb。据我们所知，这是首次在InGaAs-InP平台上实现该长波长下具有气体传感结果的悬浮InGaAs膜波导。该结果同时凸显了SWW相比HPCW的优势：凭借低传输损耗和TM模式兼容性，既能降低总传输损耗，又能缩减全集成器件的尺寸。本研究为具有TM偏振特性的量子级联器件与无源波导传感器件的单片集成奠定了基础，可实现芯片级中红外吸收光谱检测。

    关键词： 亚波长波导、气体传感、吸收光谱、光子晶体波导、中红外、光子集成电路、量子级联器件、十亿分之一

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 不同桥接基团对OLED用小双极分子光学及电荷传输性质的替代效应

    摘要： 本工作采用密度泛函理论（DFT）和含时密度泛函理论（TD-DFT）设计并计算了一系列八种不同的双极分子，作为有机发光二极管（OLED）的高效发光与电荷传输材料。这八种给体-π-给体型小分子（D1-D8）由三苯胺（TPA）给体（D）单元通过不同π共轭或R基团（作为π间隔基）连接至1,8-萘酰亚胺（NI）受体（A）单元构成。研究考察了π间隔基取代基对光学、电子及稳定性性质的影响。计算分析表明，π间隔基的不同取代导致带隙（Eg）减?。ǚ段?.63-2.00 eV），并产生覆盖太阳光谱可见光区与近红外区的最低激发能宽谱吸收，其中D3、D4、D5和D6分子表现尤为突出。局域态密度、前线分子轨道及自然轨道布居分析显示，所研究分子在单重激发态呈现π-π*电子跃迁吸收，但D5和D6还具有分子内电荷转移（ICT）特性。通过化学指标、分子静电势（MEP）表面及电荷传输性质研究表明，D4、D5和D6有望成为适用于OLED的优质发光与空穴传输材料。

    关键词： 密度泛函理论（DFT）、有机发光二极管（OLEDs）、光学性质、吸收光谱、电子结构

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • InAs<sub>1-x-y</sub>Sb<sub>x</sub>P<sub>y</sub>梯度组分量子点在InAs(100)衬底上的成核时序与电子特性

    摘要： 我们对在InAs(100)衬底上以Stranski-Krastanov生长模式生长的In-As-Sb-P组分液相梯度成分量子点(GC-QDs)的成核过程、形貌特征及电子光学性质进行了系统研究。这些GCQDs直径为10-120纳米，高度为2-20纳米，其组分分布呈现顶部Sb含量最高约20%、底部P含量最高约15%的分离特征，因而预期空穴将在量子点上部区域形成局域态。通过采用考虑应变和内建静电势的八带k·p模型，我们计算了与实验观测体系高度吻合的多种InAs1?x?ySbxPy GCQDs的空穴基态能级与电荷密度。最终结合实验与理论数据，获得了GCQDs集合体的吸收光谱。实测与模拟吸收谱的高度一致性表明，这类GCQDs可通过理论指导设计实现特定器件的定向制备。

    关键词： 吸收光谱，成核过程，电子特性，半导体量子点，液相外延，自组装

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 激光烧蚀法制备的Zn1-xCdxS纳米颗粒

    摘要： 通过激光烧蚀块体材料于多种液体中，已成功制备出II-VI族半导体材料Zn1-xCdxS的近球形纳米颗粒。采用吸收光谱和透射电子显微镜(TEM)对非稳定悬浮液中的颗粒进行表征。该制备方法无明显尺寸选择性，透射电镜观测显示Zn1-xCdxS颗粒半径为7±3纳米。乙腈可使颗粒稳定数天至数周。延长辐照时间能有效减小颗粒尺寸，其中颗粒团聚可能起重要作用。在脱气液体中进行烧蚀对悬浮颗粒的吸收特性无显著影响。

    关键词： Zn1–xCdxS纳米粒子、激光烧蚀、吸收光谱、透射电子显微镜、量子限域

    更新于2025-09-19 17:13:59