用于激光探测系统的亚微米InP/InGaAs雪崩光电二极管噪声特性改进

摘要： 由于具有高比特率和增益带宽特性，InP/InGaAs雪崩光电二极管在光电子学和长距离光通信系统中备受关注。本文为改善激光探测系统的噪声特性，仿真设计了一种具有双保护环和三层InGaAsP薄层的分别吸收、渐变、电荷与倍增型InP/InGaAs雪崩光电二极管（SAGCM APD）。通过优化SAGCM APD的倍增区宽度，进一步提升了噪声特性。测得其光电流和暗电流分别为______和______，展现出优于同类研究的电学性能。在恒定平均增益为______时，其过剩噪声因子较现有SAGCM APD降低了10.3%。计算结果表明，暗电流的降低与过剩噪声因子的减小使信噪比提升了约______个数量级。