2016年欧洲显微镜学大会论文集 || 采用简化同轴全息法作为定性工具检测HfO2层中的局部非均匀性

摘要： 高k氧化物中的氧空位预计会对高k金属栅极MOS晶体管等器件产生不利影响[1]，但对RRAM却有益[2]。在此背景下，能够表征超?。?纳米级）薄膜缺陷的技术揭示了晶粒纳米结构对电子结构的影响[4]。当电子波穿过样品时，会经历与原子产生的局部内电势相关的相移?；袢≌庵窒嘁频牟慰技际跏抢胫岬缱尤⑹?。然而由于该技术较为精细，基于焦距序列采集的在线全息术可能具有研究价值。在线全息术的优势在于易于在常规透射电镜研究中实施，并能提供大范围（可达数微米）的相位图像。本研究旨在检验简化版在线电子全息术在揭示多晶HfO2层异质性方面的能力。