少层石墨烯薄片、外延石墨烯和湍层石墨烯圆盘在空气和真空中的电烧蚀

摘要： 基于石墨烯的电极在分子电子学和自旋电子学领域极具应用前景。本研究系统表征了在不同类型少层石墨烯（即SiO2衬底上机械剥离的石墨烯、SiC碳面外延生长的石墨烯以及SiO2衬底上沉积的湍流石墨烯圆盘）上，于空气和真空条件下进行电烧蚀（EB）工艺形成纳米级间隙的过程。研究发现EB工艺既取决于石墨烯类型，也受环境条件影响：对于机械剥离的石墨烯，在真空环境下进行EB比在空气中操作能获得更高的纳米间隙形成率；相反，SiC衬底上的石墨烯在真空条件下无法成功实现EB工艺；而湍流石墨烯圆盘只有在通过光刻图案化预先制备出收缩结构后才能进行EB处理。