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具有镀铜接触的硅异质结太阳能电池的湿热诱导降解
摘要： 湿热暴露是测试封装组件中太阳能电池耐久性的最严苛环境之一。湿热应力会引发太阳能电池及组件的多种退化模式：例如电极与互联线路的吸湿腐蚀、聚合物材料劣化及/或热激活扩散过程。为筛查这些潜在退化模式及其他问题，我们对采用镀铜接触结构的硅异质结（SHJ）单电池组件进行了85°C/85%相对湿度的长期湿热测试。这些SHJ电池分别采用两种常见封装材料（乙烯-醋酸乙烯酯共聚物EVA和聚烯烃弹性体POE）以及两种结构（玻璃-背板与玻璃-玻璃）进行层压封装。 我们观察到太阳能电池最大功率（PMP）的所有构成参数——电流、电压及填充因子均出现退化，并发现随着应力增加存在载流子复合增强与非理想二极管特性加剧的证据。对于玻璃-背板结构，EVA封装样品的PMP退化程度通常比POE高约1.5倍，且不同封装材料呈现差异化退化模式。玻璃-玻璃?？樗涑氏窒嗨魄魇频潭冉锨?。另一项实验显示，非金属化SHJ前驱体经湿热处理后有效少数载流子寿命降低，这表明除接触相关退化外还存在其他预期内的退化机制，并验证了复合增强现象的观测结果。
关键词： 镀铜（Cu）触点、可靠性、硅异质结（SHJ）、填充因子（FF）、封装材料、湿热（DH）
更新于2025-09-16 10:30:52
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[2019年第一届IEEE科学与工程及机器人技术进展国际会议(ICASERT) - 孟加拉国达卡(2019年5月3日-5月5日)] 2019年第一届科学与工程及机器人技术进展国际会议(ICASERT) - AlGaAs/InP多结太阳能电池的设计与优化
摘要： 通过数值模拟提出了一种AlxGa1-xAs/InP多结太阳能电池结构，该模拟借助微电子与光子学结构分析软件（AMPS-1D）完成。在保持n层厚度恒定为800 nm的情况下，将顶部AlxGa1-xAs电池的p层厚度从20 nm调整至150 nm；底部InP电池的n层厚度在100 nm至7000 nm范围内变化，p层厚度固定为200 nm。顶部电池吸收层的带隙在1.42 eV至1.79 eV之间调节?；竦玫淖罡吖獾缱恍剩≒CE）为35.643%（开路电压Voc=2.385 V，短路电流密度Jsc=15.789 mA/cm2，填充因子FF=0.88）。工作温度范围设定为0°C至70°C，观测发现随着温度升高，归一化开路电压呈近似线性下降，表明该多结太阳能电池具有优异的稳定性。
关键词： AlGaAs/InP，AMPS-1D模拟，热稳定性，功率转换效率（PCE），填充因子（FF）
更新于2025-09-12 10:27:22