- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
通过锶掺杂调控In?O?纳米纤维沟道薄膜晶体管的电学性能
摘要： 尽管In2O3纳米纤维（NFs）被视为未来电子器件的基础构建单元，但过量载流子导致的漏电流大、开关比（Ion/Ioff）低及负阈值电压（VTH）偏高等问题严重阻碍了这类NFs器件的进一步发展。本研究采用简便的一步静电纺丝工艺，通过选择性掺杂锶（Sr）元素有效调控In2O3 NFs的载流子浓度，从而提升其电学器件性能。最优器件（3.6 mol% Sr掺杂浓度）可实现高场效应迁移率（μfe ≈ 3.67 cm2 V?1 s?1）、优异开关比（≈10?）以及节能增强型工作模式。采用高κ值Al?O?薄膜作为栅介质时，栅压可降低10倍（从40 V降至4 V），迁移率显著提升4.8倍（达17.2 cm2 V?1 s?1）。静电纺丝制备的E型Sr-In2O3 NF场效应晶体管（NFFETs）还能集成至全摆幅反相器中并展现卓越性能，进一步证明该静电纺丝技术在实现低成本、节能、大规模高性能电子器件实际应用方面的重要突破。
关键词： 增强模式，锶元素，高性能，氧化铟纳米纤维，逆变器
更新于2025-09-23 15:23:52
-
p栅极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极导通机制与寿命建模
摘要： 通过温度相关的直流栅极电流测量，研究了p型氮化镓(GaN)/AlGaN/GaN增强型晶体管中的栅极导通机制。针对不同栅压区域分别建立物理模型并与实验对比：负栅偏压时，钝化介质内发生栅极到源极的泊松-弗伦克尔发射(PFE)；正栅偏压时，p-GaN/AlGaN/GaN"p-i-n"二极管处于正向工作模式，栅极电流受肖特基接触处空穴供给限制；低栅压下电流由位错线中肖特基势垒降低导致的热电子发射主导；提高栅压和温度会引发相同势垒的热辅助隧穿(TAT)。改进的栅极工艺降低了正栅压区栅极电流并消除了TAT起始现象，但在高正栅压下观察到源自金属/p-GaN界面PFE的电流急剧上升?；谔崛〉牡纪ɑ乒菇司返氖倜Ｐ?，采用新型栅极工艺制备的器件在t1%=10年条件下最大栅压达7.2V。
关键词： 时间依赖性击穿（TDB）、p型氮化镓栅极、高电子迁移率晶体管（HEMT）、增强模式、氮化镓（GaN）、导电机制
更新于2025-09-23 15:21:21