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oe1(光电查) - 科学论文

54 条数据
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  • 通过电子关联调控透明导电氧化物SrVO?的光学性质

    摘要： 钒酸盐SrVO3是一种透明导电钙钛矿材料，其光学和电学性能可与最常用的氧化铟锡材料相媲美。尽管其电荷密度与金属相当，但由于该材料中电子传输的强电子关联特性（这会增大有效质量），SrVO3的等离子体频率低于可见光范围。因此，正如等离子体频率也取决于有效质量那样，强关联体系中结构与电子特性之间的著名相互作用可用于调节此类透明导体的光学特性。本研究通过脉冲激光沉积法，在不同晶格失配的钙钛矿衬底（如SrTiO3、LaAlO3和(LaAlO3)0.3(Sr2TaAlO6)0.7）上于不同生长温度下制备了SrVO3薄膜。通过分析其结构、电子和光学特性，阐明了应变对薄膜结构及等离子体频率偏移的影响。因此，这类新型透明导电氧化物中的电子关联效应可作为调节功能特性的补充杠杆。

    关键词： 透明导电氧化物、钒酸盐、薄膜、关联材料、外延生长

    更新于2025-10-22 19:40:53

  • 由V2O5薄膜合成的VO2微棒

    摘要： 通过退火V2O5薄膜，在硅和蓝宝石衬底上合成了长度达600微米的自组装单晶VO2微棒（MRs）。研究了VO2 MRs从V2O5薄膜中的成核与生长过程。采用SEM、HRTEM、XPEEM和拉曼光谱表征了还原过程中中间相的形貌与微观结构演变。结果表明，V2O5薄膜向VO2 MRs的转化主要受熔融-成核-生长机制支配。通过控制V2O5熔融过程，并持续向生长中的VO2 MRs供给V2O5液体，可制备超长VO2 MRs。此外，使用r面切割蓝宝石衬底可诱导VO2 MRs的外延生长。

    关键词： 生长机制、还原、V2O5薄膜、VO2微棒、外延生长

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 通过钨图案增强高温高压基底及外延横向过生长层中的金刚石氮空位中心密度

    摘要： 通过微波等离子体化学气相沉积（CVD）系统，在钨图案化的高温高压（HPHT）衬底上外延横向过生长（ELO）单晶金刚石层中氮空位（NV）中心的分布情况已被研究。研究发现，在ELO金刚石层中，钨金属上方的NV?和NV?中心密度均有所增强。同时，在图案化的高温高压（HPHT）衬底中，钨金属下方的NV?中心密度远高于NV?。该HPHT衬底在CVD生长前不含NV中心，且生长后无钨金属区域的NV中心几乎不存在。

    关键词： 缺陷，碳材料，外延生长，发光，晶体生长

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 外延Fe?O?薄膜的输运和磁性能的有限尺寸效应

    摘要： 磁铁矿（Fe3O4）因其独特的物理特性——如半金属铁磁性本质和金属-绝缘体转变（韦尔转变），在新领域自旋电子学中具有巨大应用潜力。因此，深入理解这些特性对自旋电子器件应用至关重要，尤其在薄膜厚度减薄的情况下。本研究探究了化学计量比超薄外延Fe3O4薄膜的输运与磁学性质。采用分子束外延法在最佳生长条件下于MgO(001)衬底上制备了该薄膜。低能电子衍射和X射线光电子能谱证实薄膜为单相Fe3O4。通过输运测量和磁化强度测量研究了韦尔转变，所有薄膜均呈现尖锐的韦尔转变，表明其性质与块体材料相当。此外，室温磁化测量显示厚度t<20nm的超薄薄膜具有铁磁性，且磁化强度值高于块体磁铁矿。这种超薄Fe3O4薄膜增强的磁化特性对自旋注入等应用极具前景。

    关键词： Verwey转变、外延生长、磁化强度、Fe3O4、薄膜

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 具有初始应力及机械和介电非理想界面的三维立方压电声子晶体中弹性波的色散关系

    摘要： 纳米结构材料自下而上自组装过程中，单个构筑基元的形状是重要参数。从球体到椭球体的简单形态变化会因定向自由度的改变而显著影响组装过程。当球体层置于椭球体层之上时，通过椭球体采取特殊取向可最小化界面应变。C70富勒烯是最小的椭球体，本研究探讨了其与类球体C60的相互作用。我们发现：在密堆积C70层中，C70的取向可通过接触C60层来调控。这种取向引导现象对范德华分子异质结多层外延生长具有重要应用价值。

    关键词： 界面、自组装、外延生长、扫描隧道显微镜、石墨烯、范德华异质结构、富勒烯

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 高质量Si<sub>1?x</sub>Ge<sub>x</sub>薄膜上金属-中间层-半导体结构的电学分析——用于非合金欧姆接触

    摘要： 本文研究了金属-中间层-半导体（MIS）结构对超高真空化学气相沉积（UHV-CVD）外延生长的本征硅锗（SiGe）薄膜的影响。超薄介电材料通过阻止金属表面诱导的带隙态（MIGS）向Si1?xGex中渗透，可缓解金属/Si1?xGex接触区的费米能级钉扎现象。对于不同锗（Ge）浓度配比的各类Si1?xGex薄膜，当TiO2中间层厚度为0.5 nm时，Ti/TiO2/Si1?xGex结构的背靠背电流密度和特定接触电阻率等电学性能均得到改善。以Si0.7Ge0.3薄膜为例，Ti/TiO2(0.5 nm)/Si0.7Ge0.3结构的特定接触电阻率较Ti/Si0.7Ge0.3结构降低了80倍。MIS结构在Si1?xGex薄膜上的效果已得到充分验证，因此建议将该结构作为先进Si1?xGex互补金属氧化物半导体（CMOS）技术中的新型源/漏（S/D）接触方案。

    关键词： 外延生长、金属-中间层-半导体结构、源/漏极接触、硅锗材料、费米能级钉扎效应、比接触电阻率

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 卤化物气相外延技术在超宽禁带Ga?O?生长中的应用

    摘要： 卤化物气相外延（HVPE）在半导体工业中被广泛用于生长硅、砷化镓、氮化镓等材料。HVPE是一种非有机化学气相沉积（CVD）技术，其特点是能够以快速生长速率实现高质量的外延层生长，适用于制备具有广泛应用前景的衬底和器件。本文综述了HVPE在氧化镓（Ga2O3）生长及器件应用中的使用情况，并详细讨论了HVPE技术的多个方面。研究结论表明，HVPE是实现大面积氧化镓衬底外延生长和制备高功率β-Ga2O3器件的有前途的技术选择。

    关键词： 卤化物气相外延、肖特基势垒二极管、外延生长、氧化镓

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 采用MIST-CVD技术在蓝宝石(0001)衬底上异质外延生长厚α-Ga?O?薄膜

    摘要： 通过雾化化学气相沉积技术在蓝宝石(0001)衬底上异质外延生长了8微米厚的单晶α-Ga2O3外延层。高分辨X射线衍射测量显示(0006)和(10-14)晶面的摇摆曲线半高宽分别为0.024°和0.24°，对应的螺位错和刃位错密度分别为2.24×10?和1.63×10? cm?2，表明具有高单晶质量。面外与面内外延关系分别为[0001]α-Ga?O?//[0001]α-Al?O?和[11-20]α-Ga?O?//[11-20]α-Al?O?。横向晶畴尺寸达微米级，透过率光谱测定其间接带隙为5.03 eV。拉曼测试表明尽管α-Ga?O?外延层厚度较大，仍不能排除晶格失配引起的压应力残余应变。所获得的高质量α-Ga?O?可为开发高性能功率器件和日盲光电探测器提供替代材料平台。

    关键词： 化学气相沉积、超宽带隙半导体、氧化镓、外延生长

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • GaAs衬底上NiMnAs薄膜的外延生长与磁性能

    摘要： 在GaAs(001)衬底上生长了具有应变C1b对称性的单相Ni0.92Mn1.08As薄膜。同步辐射测量进一步揭示了(001)取向GaAs上优先外延的(110)取向Ni0.92Mn1.08As构型。研究发现，该薄膜的磁性能明显受生长温度影响，其最佳生长温度确定为≈370°C。根据X射线吸收光谱结果，这些现象可归因于锰原子局部电子结构的变化。本研究为理论预测的半金属NiMnAs的深入研究提供了有价值的信息。

    关键词： 外延生长、半金属、赫斯勒合金、磁性能、NiMnAs

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [2018年IEEE国际未来电子器件会议（关西）（IMFEDK）- 日本京都（2018.6.21-2018.6.22）] 2018年IEEE国际未来电子器件会议（关西）（IMFEDK）- 基于氮化镓的垂直沟槽MOSFET阈值电压迟滞现象研究

    摘要： 本文研究了采用不同工艺技术制备n+ -GaN源极层的氮化镓基垂直沟槽MOSFET的转移特性迟滞现象。研究发现，与离子注入源区器件相比，外延生长源区器件能有效抑制转移特性的迟滞效应。

    关键词： 离子注入、阈值电压、外延生长、迟滞效应、氮化镓、沟槽、金属氧化物半导体场效应晶体管

    更新于2025-09-23 15:22:29