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紫外辅助电化学蚀刻制备的多孔氮化镓中的应力松弛
摘要: 本研究描述了生长在Al2O3衬底上的多孔GaN中的应力弛豫现象。结果表明,样品中发生了应力弛豫,且随着蚀刻电流的增加而增强。与原位生长的GaN薄膜相比,多孔GaN表现出显著的光致发光(PL)强度增强,并伴随与压应力弛豫相关的带边峰红移。多孔GaN薄膜拉曼光谱中红移的声子能量峰(E2)进一步证实了这种应力弛豫。扫描电子显微镜(SEM)显示,电流密度对孔隙的大小和形状有显著影响。
关键词: 应力弛豫,多孔氮化镓,拉曼光谱,红移
更新于2025-09-23 02:33:09
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从块状到多孔氮化镓晶体:精确的结构控制及其在紫外光电探测器中的应用
摘要: 多孔氮化镓具有比表面积大、带隙可调及光学性能优异等诸多独特优势。本研究开发了一种通过高温退火制备多孔氮化镓单晶的简便有效方法,系统考察了不同退火温度对氮化镓多孔结构、晶体质量及光学性能的影响,总结出退火温度、时间与氮化镓多孔结构的关系模型?;诖酥票噶硕嗫椎刈贤夤獾缣讲馄鳎⑹状窝芯苛硕嗫捉峁苟云骷阅艿挠跋?。研究发现适当的多孔结构能提升探测器性能,据此提出了可能的性能增强机制。凭借优异性能与简易制备工艺,多孔氮化镓晶体有望成为紫外光电探测器的理想候选材料。
关键词: 光学特性、晶体质量、紫外光电探测器、高温退火、多孔氮化镓
更新于2025-09-16 10:30:52
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多孔氮化镓中增强的激子发射效率
摘要: 我们研究了不同孔隙率多孔GaN薄膜的光学特性,重点关注时间积分和时间分辨光致发光中激子特征的行为表现。观测发现多孔GaN薄膜中激子发射强度和复合速率均显著增强,且随温度升高强度衰减不明显。这些现象与以下因素相符:(i) 去极化效应导致GaN纳米颗粒和孔洞处电场的局部集中;(ii) 纳米颗粒的高效光提取。此外,多孔化增大了空气/半导体界面的表面积,从而进一步提升提取效率并抑制非辐射复合通道。本研究成果为提高基于多孔GaN的纳米光子器件发射效率开辟了新途径。
关键词: 光提取、激子、多孔氮化镓、光致发光、退极化效应
更新于2025-09-10 09:29:36
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用于InGaN发光器件应用的GaOx限制结构的制备
摘要: 本研究提出了一种嵌入式多孔氮化镓(GaN)反射镜与电流限制孔径的氮化铟镓(InGaN)发光二极管(LED)。通过电化学湿法蚀刻工艺,将八对n+-GaN:Si/GaN叠层结构转化为导电多孔GaN/GaN反射镜。通过横向光电化学(PEC)氧化工艺,将台面区周围的多孔GaN层转化为反射镜结构中的绝缘GaOx层。通过在反射镜结构中形成作为电流限制孔径结构的绝缘GaOx层,使电致发光发射强度集中在中央台面区域。这种具有多孔GaN反射镜和被绝缘GaOx层包围的电流限制孔径的PEC-LED结构,在基于氮化物的谐振腔光源应用方面具有潜力。
关键词: 绝缘氧化镓、电流限制孔径结构、多孔氮化镓、氮化铟镓
更新于2025-09-04 15:30:14