基于多晶氮化镓的不同接触金属-半导体-金属（MSM）光电探测器性能

摘要： 本文描述了采用不同接触材料（Al、ITO、Ni和Pt）的多晶氮化镓基金属-半导体-金属（MSM）光电探测器的性能。通过电阻率（r）、信噪比（SNR）、响应度（R）、内量子效率（η）和时间响应度等指标对每个光电探测器的性能进行了研究。结果表明，镍（Ni）是该光电探测器的理想接触材料。这是因为氮化镓层上残留氧化物形成的NixO扩散至镍接触层降低了电阻率，从而提高了光电探测器的导电性。采用镍接触的光电探测器显示出随偏置电压增加而显著提升的信噪比特性，其电阻率测量值为2.02 MΩ·cm2，在波长λ=342 nm、385 nm和416 nm时对应的内量子效率分别为3.13%、2.36%和1.52%。时间响应度测量显示：上升时间为1.75秒，恢复时间为1.87秒，灵敏度为5840%。