具有轻度掺杂n型准分子激光晶化锗膜的高性能p沟道薄膜晶体管

摘要： 通过准分子激光晶化(ELC)和反向掺杂(CD)技术，采用轻掺杂锗薄膜制备的高性能多晶锗(poly-Ge)薄膜晶体管(TFT)已得到验证。在超横向生长模式下，通过ELC工艺并以1×1013 cm?2或更高剂量进行CD处理，成功制备出晶粒尺寸达1微米的高质量n型锗薄膜。由此获得的p沟道Ge TFT（沟道宽长均为0.5微米）在300 mJ/cm2 ELC能量密度和1×1013 cm?2 CD剂量条件下，实现了271 cm2 V?1 s?1的优异场效应迁移率和2.7×103的高开关电流比。研究还探讨了ELC工艺参数与CD剂量对p沟道Ge TFT电学特性的影响。