用于高功率激光辐射多结转换器的p-i-n GaAs/AlGaAs隧道二极管的开发与研究

摘要： 创建具有高于光敏p-n结短路电流密度的峰值隧穿电流密度的连接隧道二极管，是开发高功率光学辐射多结光电转换器（III-V族）的重要任务?；诙运淼蓝躂-U特性的数值模拟，提出了一种通过在隧道二极管的简并层之间插入几纳米厚的未掺杂i型薄层来提高峰值隧穿电流密度的方法。采用分子束外延技术生长了峰值隧穿电流密度高达200 A/cm2的p-i-n-GaAs/Al0.2Ga0.8As连接隧道二极管结构。