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oe1(光电查) - 科学论文

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出版时间
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
研究主题
  • 钙钛矿太阳能电池
  • 太阳能电池
  • 染料敏化太阳能电池
  • 有机太阳能电池
  • 功率转换效率
  • 稳定性
  • 聚合物太阳能电池
  • 非富勒烯受体
  • 钙钛矿
  • 空穴传输材料
应用领域
  • 光电信息材料与器件
  • 材料科学与工程
  • 高分子材料与工程
  • 纳米材料与技术
  • 光电信息科学与工程
  • 电气工程及其自动化
  • 化学
  • 物理学
  • 复合材料与工程
  • 新能源科学与工程
机构单位
  • Chinese Academy of Sciences
  • Soochow University
  • South China University of Technology
  • Jilin University
  • Huazhong University of Science and Technology
  • University of Chinese Academy of Sciences
  • Peking University
  • Nankai University
  • Zhejiang University
  • University of Science and Technology of China
600 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • 混合卤化物钙钛矿光吸收体的维度工程

    摘要： 混合卤化物钙钛矿太阳能电池于2009年首次问世，其电池效率在短短几年内就从不足10%迅速飙升至超过23%。卤化物钙钛矿具有理想的工艺简易性，但在接触水和高温时非常脆弱。这种脆弱性对其在光伏技术中充分发挥实际潜力构成了巨大挑战。为解决这一问题，本文综述了混合维度钙钛矿的最新进展——通过采用不同尺寸和官能团的有机胺阳离子，可以精细调节材料在功率转换效率与稳定性之间的平衡。

    关键词： 混合卤化物钙钛矿、有机胺阳离子、稳定性、混合维钙钛矿、太阳能电池、功率转换效率

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 基于MEMS的热电-光电集成发电机

    摘要： 这封信介绍了一种新型基于MEMS的热电-光电发电器，首次通过MEMS技术将微型热电发生器（μ-TEG）和太阳能电池集成在单个硅芯片上。为优化μ-TEG的热流路径，热电偶方阵的一侧位于太阳能电池的叉指电极上，另一侧位于厚氧化钝化层上以实现热隔离。此外，热堆上方通过厚聚酰亚胺隔热层隔开热端与冷端，并开设一系列方形孔以增强热堆与周围环境的热耦合。太阳能电池设计采用了背场、带有限接触开口的氧化钝化层等常见措施。所有测量电极均位于器件同一侧以便于键合线与封装。当溅射铝膜覆盖器件正面时，μ-TEG的最大输出电压系数和功率系数分别为0.149 V·cm?2·K?1和3.03×10?3μW·cm?2·K?2。当器件正反两面受光时，测得的光电转换效率分别为4.45%和0.682%。

    关键词： 能量收集、微热电发电机（μ-TEG）、微机电系统（MEMS）、发电机、太阳能电池

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • Cu?ZnSnS?、Cu?ZnGeS?及Cu?Zn(Ge,Sn)S?与Cu?Zn(Ge,Sn)Se?固溶体的光学性质与电子结构

    摘要： 采用机械化学法与梯度加热工艺合成了Cu2Zn(GexSn1-x%)S4（CZGTS）样品。通过X射线衍射分析了所得粉末的物相组成，利用紫外-可见-近红外漫反射光谱测定了CZGTS样品的带隙能。该体系的带隙能从Cu2ZnSnS4（x=0.0）的1.49 eV线性增至Cu2ZnGeS4（x=1.0）的2.25 eV。通过光电子产额谱（PYS）测量的电离能估算了价带顶（VBM）相对于真空能级的能量位置，导带底（CBM）能级则由带隙能与VBM能级相加确定。CZGTS固溶体的VBM能级基本恒定，而随着Ge含量增加，其CBM能级从Cu2ZnSnS4（x=0.0）的-3.96 eV线性升至Cu2ZnGeS4（x=1.0）的-3.28 eV。对于含CdS缓冲层的CZGTS太阳能电池，预计会出现不利的陡峭型导带偏移。我们还制备了Cu2ZnSnSe4、Cu2ZnGeSe4及Cu2Zn(Ge,Sn)Se4（CZGTSe）固溶体样品并测定其VBM与CBM能级。当0.3≤x≤1.0时，Cu2Zn(GexSn1-x%)Se4体系预计存在类似的陡峭型导带偏移；但对于0.0≤x≤0.2的Cu2Zn(GexSn1-x%)Se4太阳能电池配CdS缓冲层，则预期形成理想的正尖峰型导带偏移。

    关键词： 光电子发射产额谱学、Cu2Zn(GexSn1-x)S4、导带底、价带顶、带隙能量、太阳能电池

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 通过HFCVD法制备的SiOx薄膜在PN结上应用所产生的下转换效应

    摘要： 在硅太阳能电池上采用非化学计量比的氧化硅（SiOx）顶层薄膜，通过下转换效应改善其电学性能。该SiOx薄膜通过热丝化学气相沉积（HFCVD）工艺制备，通过调节氢气流速（HF）、丝源距离与源衬底距离等参数（进而控制不同温度），利用能谱仪（EDS）和傅里叶变换红外光谱（FTIR）分析表明：随着上述参数变化，薄膜中原子硅含量发生改变。透射光谱显示其在紫外区透射率为0%。当受紫外光激发时，SiOx薄膜呈现400-900nm宽波段光致发光（PL）。将这些SiOx薄膜作为顶层涂层应用于硅基pn结以制备太阳能电池，测得其J-V特性曲线、外量子效率（EQE），以及开路电压（Voc）、短路电流密度（Jsc）、光电转换效率（η）和填充因子（FF）。具有最强PL效应的SiOx顶层涂层太阳能电池展现出最高效率，最优参数为：η=5.9%、Voc=480mV、Jsc=27mA/cm2、Pmax=5.5mW、FF=0.4。

    关键词： SiOx（一氧化硅）、太阳能电池、下转换、热丝化学气相沉积（HFCVD）

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 碘溴比对铷锑卤化物钙钛矿晶体学和光电性质的影响

    摘要： ??锑卤化物作为光伏材料，是有机铅卤钙钛矿的一种低毒替代方案。本研究系统考察了溴碘比例变化对Rb3Sb2Br9-xIx（x=0-9）结构、光学及光伏性能的影响。单晶数据显示所有化合物均结晶为二维层状单斜晶系。用更小的溴离子逐步取代碘离子虽不改变晶系类型，但溴含量增加会导致晶胞收缩及吸收边蓝移，使带隙从2.02 eV增大至2.46 eV。富溴化合物因层状结构优先平行于衬底取向（不利于电荷传输），其光伏性能受限；而以Rb3Sb2I9为吸光材料的太阳能电池展现出1.37%的转换效率。此外，该器件迟滞效应低，在惰性气氛中储存150天以上仍保持稳定。

    关键词： 单晶、薄膜、锑基钙钛矿、光致发光、无铅钙钛矿、太阳能电池、结构表征

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 物理性质对二氧化钛薄膜水热处理的影响

    摘要： 二氧化钛作为半导体材料已广泛应用五十余年。水热法是制备二氧化钛的常用方法之一，相关技术已得到广泛发展。本研究考察了水热温度对二氧化钛薄膜的影响：将去离子水、盐酸和异丙醇钛的混合液在110、150、180和200°C条件下水热反应10小时，逐层沉积于氧化铟锡玻璃表面制得薄膜。所得薄膜经500°C煅烧后，采用X射线衍射、紫外-可见光谱及扫描电镜-能谱（SEM-EDX）进行表征。结果表明：二氧化钛呈球形形貌，粒径介于0.5至2微米之间；其物相包含金红石型（粒径16.97-24.10纳米）和锐钛矿型（粒径18.09-26.75纳米）；带隙能量范围为3.17至3.48电子伏特。

    关键词： 锐钛矿，水热法，二氧化钛，太阳能电池

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 黑硅对工业钝化发射极和背面电池中光致及高温诱导降解的影响

    摘要： 光热诱导衰减（LeTID）目前是钝化发射极和背面电池（PERC）面临的一个严重问题。本研究探讨了表面织构（特别是黑硅（b-Si）纳米结构）对工业级p型多晶硅PERC中LeTID的影响。结果表明，在标准LeTID条件下，采用原子层沉积氧化铝（AlOx）正面钝化的b-Si电池未出现性能衰减，尽管其背面存在富氢的AlOx/SiNx钝化叠层。此外，正面采用氮化硅（SiNx）钝化的b-Si太阳能电池仅损失1.5%的初始光电转换效率，而酸性织构电池在相同条件下衰减近4%。相应地，酸性织构电池的内部量子效率（IQE）出现明显衰减（尤其在850-1100纳米波长范围），证实衰减发生在电池体内，而b-Si电池的IQE几乎不受影响?？占浞直婀庵路⒐猓≒L）图谱支持上述观察结果，清晰显示出b-Si与酸性织构电池（尤其是SiNx正面钝化情况下）的衰减行为差异。PL图谱还表明LeTID程度与织构表面积相关，而非近期报道的硅片厚度（尽管b-Si电池略薄，140微米对比165微米）。这些结果表明b-Si对LeTID具有积极影响，因此b-Si的优势不仅限于其公认的优异光学特性。

    关键词： 钝化发射极和背面电池、多晶硅、光致衰减、黑硅、太阳能电池、光照及高温诱导衰减

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 2016年欧洲显微镜学大会论文集 || 一种用于双组分薄膜相图分析的微组合透射电镜方法

    摘要： 目标是引入一种制备和研究复合材料薄膜的新方法，重点聚焦于光电子应用领域双组分薄膜的合成与表征。该研究探索了这些材料通过提升效率及在不同环境条件下的稳定性来增强光电器件（如太阳能电池和发光二极管）性能的潜力。

    关键词： 发光二极管、光电子学、太阳能电池、复合材料、薄膜

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • PE-ALD法制备的GaP/Si异质结界面特性

    摘要： 研究了低温（380°C）等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）生长的n-GaP/p-Si界面特性及其对太阳能电池性能的影响。探究了不同等离子体处理和射频功率值的作用。射频功率的增加导致生长模式从非晶态（a-GaP）转变为微晶GaP（μc-GaP），分别对应非晶-GaP/Si或外延-GaP/Si界面。然而，当采用连续氢等离子体时，非晶-GaP/Si界面的光伏性能优于外延界面。非晶-GaP/Si界面获得开路电压Voc=0.45–0.55 V和内量子效率IQE>0.9，而外延-GaP/Si界面仅为Voc=0.25–0.35 V和IQE<0.45。根据导纳谱和透射电镜研究，高射频功率氢等离子体生长过程中Si衬底近表面（30–50 nm）区域受到损伤。导纳谱在该损伤Si区域检测到能级为EV+(0.33±0.02) eV的空穴陷阱。当采用无氢等离子体的改进工艺沉积外延-GaP/Si界面结构时，透射电镜未观察到Si损伤，表明Si近表面区域的损伤与氢等离子体相互作用有关。

    关键词： 导纳谱、太阳能电池、等离子体增强原子层沉积、界面、GaP/Si异质结

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 无铅卤化双钙钛矿中的独特离子扩散特性：一项第一性原理研究

    摘要： 无铅卤化双钙钛矿（HDPs）被提议作为替代主流混合有机-无机卤化铅钙钛矿（如CH3NH3PbI3）的潜在候选材料，用于多种光电器件应用。虽然已知离子扩散是影响CH3NH3PbI3结构和电子稳定性的关键问题，但HDPs中离子扩散的机制仍不明确且亟待揭示。本研究以Cs2AgInX6（X = Cl, Br）HDPs为原型，首次提出主要缺陷的快速离子扩散可能在HDPs的性能稳定性中起重要作用。重要的是，我们发现多离子协同方式的Agi+扩散比单离子方式的VAg?和VX?扩散具有更快的扩散速率。研究表明，HDPs表现出与CH3NH3PbI3截然不同的扩散特性。此外，我们证明通过施加外延应变可以有效抑制HDPs中Agi+的扩散速率，这为提高钙钛矿材料在各种器件应用中的性能稳定性开辟了有前景的途径。

    关键词： 无铅卤化双钙钛矿，离子扩散，性能稳定性，第一性原理计算，太阳能电池

    更新于2025-09-04 15:30:14