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[IEEE 2018国际电力电子会议（IPEC-Niigata 2018 - ECCE亚洲） - 日本新潟（2018.5.20-2018.5.24）] 2018国际电力电子会议（IPEC-Niigata 2018 - ECCE亚洲） - 利用氮化镓HEMT提升门极驱动器驱动能力以实现碳化硅功率MOSFET高速硬开关
摘要： 基于氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-HEMTs）推挽结构的高速栅极驱动器被提出用于高频开关场景下驱动碳化硅功率MOSFET。本研究探究了GaN HEMTs的寄生电感对氮化镓基栅极驱动器输出电压的影响。通过SPICE仿真分析了GaN HEMTs栅极、源极和漏极端的寄生电感，发现GaN HEMT栅极和源极端的寄生电感几乎不影响驱动器输出波形，而漏极端的寄生电感会导致输出电压产生大幅振荡。
关键词： 数值分析、基于氮化镓的栅极驱动器、高频开关、寄生电感
更新于2025-09-10 09:29:36
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[2018年IEEE第18届国际电力电子与运动控制会议(PEMC) - 匈牙利布达佩斯(2018.8.26-2018.8.30)] 2018年IEEE第18届国际电力电子与运动控制会议(PEMC) - 不同寄生电感对SiC MOSFET开关行为的影响
摘要： 本文通过实验研究了寄生电感对碳化硅MOSFET半桥开关性能的影响。由于宽带隙功率半导体器件的开关动态特性比硅器件高出数个数量级，开关单元中的寄生元件变得愈发重要——它们会限制电流和电压变化率并引发振荡。深入理解这些效应对于设计高效、集成的下一代电力电子变换器至关重要。论文提出了一种实现低成本、高重复性纳亨级可变电感的实施方案，并搭建了配备碳化硅MOSFET的测试PCB板，在改变开关单元中所有相关电感值的条件下进行双脉冲实验。研究结果从开关性能角度进行了分析，通过对比硅器件与碳化硅器件的开关暂态差异，结合寄生元件特性阐明了其成因。
关键词： 开关性能、电力电子、寄生电感、双脉冲实验、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）
更新于2025-09-04 15:30:14