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[2019年IEEE国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 意大利乌迪内（2019.9.4-2019.9.6）] 2019年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - ATOMOS：一种针对超尺度二硫化铪和黑磷MOSFET中耗散性DFT输运的原子级建模求解器
摘要： 我们开发并采用了一种基于先进密度泛函理论-非平衡格林函数（DFT-NEGF）的原子尺度建模求解器（ATOMOS），用于评估栅极长度低至5纳米的各种单层过渡金属二硫化物与黑磷（BP）MOSFET的物理特性及基础性能潜力，包括电子-声子散射效应。本研究表明二硫化铪（HfS2）具有良好的可扩展性与驱动电流潜力，并揭示了光学声子散射对黑磷的影响。
关键词： 密度泛函理论非平衡格林函数、互补金属氧化物半导体、二维材料、半导体物理、量子输运
更新于2025-09-11 14:15:04