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能量依赖有效质量GaAs/Ga_xIn_{1-x}As与GaAs/Al_xGa_{1-x}As量子阱体系的光学特性:打靶法研究
摘要: 本文通过紧致密度矩阵方法研究了能量依赖性有效质量对GaAs/GaxIn1?xAs和GaAs/AlxGa1?xAs量子阱系统光学特性的影响。我们采用简单的打靶法求解所得非线性薛定谔方程并给出算法。研究表明,能量依赖性有效质量效应对于量子阱较窄的系统更为重要。在能量依赖性有效质量假设下,吸收系数峰值高度随系统总长度L的增加而增大;而在恒定有效质量极限情况下,吸收系数峰值高度不受L变化的影响。对于GaAs/AlxGa1?xAs系统,在固定有效质量近似中,随着阱数增加,线性吸收系数振幅先增大后减小;在能量依赖性有效质量情况下则单调递减。阱数增加时,线性吸收系数峰值位置先发生蓝移后出现红移。GaAs/GaxIn1?xAs系统的情况更为复杂(文中详述),但其量子阱系统的吸收系数峰值高度大于GaAs/AlxGa1?xAs系统。
关键词: 射击法,砷化镓/砷化镓铟1?x和砷化镓/铝化镓1?x量子阱,折射率变化,能量依赖的有效质量,吸收系数
更新于2025-09-23 15:21:21
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采用打靶法和粒子群优化算法对量子级联激光器自洽方法进行优化
摘要: 我们提出一种数值优化方法来模拟中红外量子级联激光器的输出特性,其中考虑了子带电子温度(Tei)的影响。采用打靶法简化计算过程。当外加电场超过阈值时,该方法能给出精确的子带电子温度。计算结果与实验数据相符,从而证实考虑子带电子温度有助于深化对量子级联激光器的理解,并为未来实验工作提供指导。
关键词: 电子温度、量子级联激光器、红外、射击法
更新于2025-09-23 15:19:57