表面控制萘基封端寡噻吩在石墨烯上的晶体排列：通过原位X射线衍射研究薄膜生长

摘要： 我们报道了沉积在石墨烯上的5,5'-双(萘-2-基)-2,2'-联噻吩(NaT2)薄膜的微观结构、形貌及生长情况，通过掠入射X射线衍射(GIXRD)进行表征，并辅以原子力显微镜(AFM)测量。NaT2沉积在两种石墨烯表面：一种是自行将化学气相沉积(CVD)生长的石墨烯层转移到Si/SiO2基底上的定制样品，另一种是常见的商业转移CVD石墨烯/Si/SiO2。原始Si/SiO2基底作为参照。NaT2的晶体结构和取向强烈依赖于底层表面——分子主要平铺于石墨烯表面(面朝上取向)，而在Si/SiO2参照表面则近乎垂直站立(边朝上取向)。生长后的GIXRD和AFM测量显示，晶体结构和晶粒形貌会因石墨烯表面是否残留聚合物而不同。原位GIXRD测量表明，边朝上晶相(111)衍射峰强度随厚度的变化曲线在沉积初始阶段并不通过零点，暗示在表面-薄膜界面形成了对应1-2个分子层的初始润湿层。相比之下，面朝上晶相(111)衍射峰强度在整个沉积过程中随膜厚增加呈恒定速率增长。