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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 基于超宽禁带Ga2O3半导体的肖特基势垒二极管在功率电子学应用中的概述

    摘要： 氧化镓（Ga2O3）是一种具有超宽禁带、高击穿电场和优异巴利加优值（BFOM）的新型半导体材料，是肖特基势垒二极管（SBD）等下一代高功率器件的理想候选材料。本文分析了Ga2O3半导体的基本物理特性，综述了基于Ga2O3的SBD最新研究进展，总结了提升器件击穿电压和导通电阻等性能的各种方法并进行比较，最后分析了Ga2O3基SBD在功率电子领域的应用前景。

    关键词： 击穿电场、巴利加优值、导通电阻、超宽禁带半导体、氧化镓（Ga?O?）、功率器件、肖特基势垒二极管（SBD）

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 独立式GaN p-n功率二极管超高电流注入的不同隔离工艺

    摘要： 本文报道了在自支撑（FS）GaN衬底上生长的高性能功率p-n二极管的制备工艺。提升高击穿电压并抑制表面漏电流的关键技术是隔离工艺。台面结构二极管通常采用感应耦合等离子体反应离子刻蚀（ICP-RIE）形成，但该工艺总会引发严重表面损伤，导致高漏电流。本研究通过氧离子注入构建隔离区，提出平面结构方案。经关键工艺处理后，所制台面型与平面型二极管分别呈现3.5V和3.7V的开启电压、0.42mΩ·cm2和0.46mΩ·cm2的比导通电阻（RONA）、以及2640V和2880V的击穿电压（VB）。对应巴利加优值（BFOM，即VB2/RONA）分别为16.6GW/cm2和18GW/cm2，其中18GW/cm2为自支撑GaN二极管迄今报道的最高值。温度特性测试表明，平面型二极管较台面型具有更优的漏电流与热稳定性。

    关键词： 漏电流、巴利加优值、击穿电压、平面二极管、注入工艺、氮化镓衬底

    更新于2025-09-23 15:22:29