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银镓锗多晶合成、晶体生长、结构及光学特性研究：AgGaGe<sub>n</sub>S<sub>2(n+1)</sub>（n=2,3,4和5）中红外激光应用单晶
摘要： AgGaGenS2(n+1)晶体是一系列用于中红外激光应用的非线性光学材料四元体系，能将1.064μm泵浦信号（Nd:YAG激光器）转换为4-11μm激光输出，但其中仅AgGaGeS4受到最多关注，其余具有潜在价值的AgGaGenS2(n+1)晶体其理化性质可通过n值调控。本研究采用气相输运与机械振荡法结合不同冷却工艺合成了AgGaGenS2(n+1)（n=2,3,4,5）多晶，高分辨率X射线衍射分析与精修表明四种化合物均结晶于非中心对称正交晶系Fdd2空间群，从而具备优异非线性光学特性，且四面体结构随n值变化产生的畸变导致理化性质差异。通过改进布里奇曼法生长出直径15mm、长度20-40mm的AgGaGenS2(n+1)单晶。利用XPS光谱讨论了AgGaGenS2(n+1)的结构与组分，通过拉曼光谱分析了四面体簇的三种振动模式?；舳饬肯允菊庑┑ゾ猵型半导体，载流子浓度随n值增大而降低。所有生长样品在透光范围内透过率均超60%，其中AgGaGe2S6在1064nm处透过率达70%，生长晶体的带隙从AgGaGe2S6的2.85eV增至AgGaGe5S12的2.92eV。经热退火处理后，2.9μm、4μm和10μm处的吸收峰消除，带隙范围变为2.89-2.96eV。
关键词： 霍尔测量、非线性光学材料、热退火处理、气相传输、AgGaGe?S?(n+1)、布里奇曼法、拉曼光谱、中红外激光应用、X射线光电子能谱、机械振荡法
更新于2025-11-14 15:27:09
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布里奇曼法生长的Li2WO4单晶发光特性的温度依赖性
摘要： 采用垂直布里奇曼法生长了透明Li2WO4单晶。系统研究了该晶体的物相鉴定、傅里叶变换红外光谱、热学行为及光学透过率谱，重点考察了其发光性能随温度的变化规律。抛光晶体样品（厚度2.0 mm、4.0 mm和6.0 mm）在400-800 nm波长范围内的透射率分别达到85-89%、81-85%和78-81%。在30 K、50 K和75 K环境温度下，Li2WO4晶体分别在626 nm、574 nm和543 nm附近呈现宽发光峰，这些发光峰归属于四面体[WO4]2-的本征发光发射。随着温度升高，发光峰位明显展宽，最大发光强度随环境温度降低而增强。在30-75 K温区内，发光衰减时间随温度升高单调递减，30 K、50 K和75 K对应的衰减时间分别为97.92 ms、30.16 ms和1.97 ms；而在75-300 K范围内保持约1.80 ms的恒定值。
关键词： 布里奇曼法，晶体生长，Li2WO4，发光
更新于2025-09-23 15:23:52
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Cs2LiLaCl6:Ce单晶的生长与表征
摘要： Cs2LiLaCl6:Ce（CLLC）是一种极具潜力的双伽马/中子探测闪烁体材料。研究首次采用富LiCl熔体和高轴向温度梯度的垂直布里奇曼法，成功生长出透明CLLC晶体?；Ъ屏勘菴LLC粉末以343-442°C的熔融区间发生不一致熔融。额外添加LiCl可抑制从化学计量比熔体生长的晶体中出现的Cs3LaCl6第二相。研究发现CLLC具有约1358 cm-1的斯托克斯位移和34.6 ns的光致发光衰减时间。X射线诱导发光光谱主要源于Ce3+离子的直接电子-空穴俘获和芯-价带发光。尺寸为9×8 mm3、掺杂0.5at% Ce的CLLC晶体在662 keV能量下展现出7.1%的能量分辨率。该晶体受662 keV伽马激发时的闪烁衰减时间分别为79 ns和1491 ns。
关键词： A1. 吸收光谱 B2. 闪烁体材料 B1. Cs2LiLaCl6:Ce B3. 中子探测 A2. 布里奇曼法
更新于2025-09-23 15:21:01
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采用压力控制布里奇曼法生长单晶Cd0.9Zn0.1Te锭
摘要： 我们采用压力控制布里奇曼法生长了Cd0.9Zn0.1Te单晶锭。生长过程中通过控制镉压抑制熔体蒸发并减少原生晶体中碲夹杂物的尺寸。运用加速坩埚旋转技术（ACRT）抑制组分过冷，优化了快速加速与慢速减速的旋转速度参数。成功可重复地生长出无晶界和孪晶的2英寸Cd0.9Zn0.1Te单晶锭?；怨夥诺缰势追治鱿允拘亢皖鞑粼蛹恋挠行Х帜凳直鹞?.24和0.18。X射线摇摆曲线半高宽约22.5角秒，红外透过率约61%，表明晶体具有高结晶质量。碲夹杂物平均尺寸约13.4微米。将单晶切割成5×5×2 mm3晶片后制成γ射线探测器，通过59.5 keV γ射线测量构建的能量分辨率与峰谷比分布图证实了探测性能的高度均匀性。
关键词： ACRT、CZT单晶锭，压力控制，布里奇曼法
更新于2025-09-23 15:19:57
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采用垂直布里奇曼法生长无大尺寸碲包裹体的CdMnTe晶体
摘要： 我们采用垂直布里奇曼法生长了标称成分为5%锰和95%碲的Cd1-xMnxTe晶体。使用未经处理的初始原料，在未向初始装料中添加补偿镉的情况下，成功生长出无二次相（如直径大于1微米的碲包裹体）的晶体。研究发现直径小于1微米的碲沉淀物会偏聚至铸锭最后凝固区域。在靠近最后凝固区域的晶界处观察到直径5-7微米的碲包裹体，而铸锭底部和中部即使在晶界处也未发现碲包裹体。通过X射线形貌分析对铸锭中的热应力分布进行了表征。
关键词： A1. 表征，A1. 亚晶界网络，B2. 半导体II-VI族材料，A2. 布里奇曼法，A1. 扩展缺陷，B2. CdMnTe
更新于2025-09-23 02:00:17