湿度在气溶胶辅助化学气相沉积法制备氧化亚铜薄膜的织构与电学性能调控中的作用

摘要： 一项研究报告了载气（CG）湿度对低温（<365°C）下采用气溶胶辅助化学气相沉积（AA-CVD）法制备的Cu?O薄膜织构及其电子性能的影响。通过提高载气湿度，可将薄膜的择优取向从[110]调控至[111]。通过对薄膜沉积初始阶段的研究，发现干燥与湿润条件下存在不同的生长模式，进而主导了薄膜的最终织构?；舳вΦ缪阅芊治霰砻鳎何蘼鄹稍锘蚴筇跫?，载流子浓度均维持在101? cm?3量级；而采用湿润载气沉积的Cu?O样品通常具有更高迁移率（最高达17 cm2 V?1 s?1）。利用高迁移率的[111]织构Cu?O薄膜，通过在表面采用常压空间原子层沉积（AP-SALD）法沉积ZnO层制成了二极管，在-1至+1V区间展现出优异整流特性，其不对称比接近10?。