应变诱导控制的柱腔-砷化镓单量子点光子源

摘要： 本文展示了集成于半导体微柱腔中的单个GaAs/AlGaAs量子点（QDs）所受应变调控的计算结果。我们通过定制微柱光机械谐振器的多模应力场，实现了对单个GaAs量子点激子能量的精确调控。进一步采用三维包络函数模型，评估了量子点能带结构中取决于几何形状不对称性、更关键的是实际铝互扩散程度的量子力学修正。我们的理论计算给出了通过前沿液滴外延技术工程化处理的铝互扩散量子点所产生的实际量子误差范围，为调控工程化量子点单光子源提供依据，从而促进量子点纠缠光子的可扩展片上集成。