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[2018年IEEE第18届国际电力电子与运动控制会议(PEMC) - 匈牙利布达佩斯(2018.8.26-2018.8.30)] 2018年IEEE第18届国际电力电子与运动控制会议(PEMC) - 不同寄生电感对SiC MOSFET开关行为的影响
摘要： 本文通过实验研究了寄生电感对碳化硅MOSFET半桥开关性能的影响。由于宽带隙功率半导体器件的开关动态特性比硅器件高出数个数量级，开关单元中的寄生元件变得愈发重要——它们会限制电流和电压变化率并引发振荡。深入理解这些效应对于设计高效、集成的下一代电力电子变换器至关重要。论文提出了一种实现低成本、高重复性纳亨级可变电感的实施方案，并搭建了配备碳化硅MOSFET的测试PCB板，在改变开关单元中所有相关电感值的条件下进行双脉冲实验。研究结果从开关性能角度进行了分析，通过对比硅器件与碳化硅器件的开关暂态差异，结合寄生元件特性阐明了其成因。
关键词： 开关性能、电力电子、寄生电感、双脉冲实验、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）
更新于2025-09-04 15:30:14
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[2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 美国佐治亚州亚特兰大(2018.10.31-2018.11.2)] 2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 寄生电容对基于10kV碳化硅MOSFET变换器开关性能的影响
摘要： 在基于10千伏碳化硅MOSFET的变换器中，主要寄生电容来源包括反并联结势垒肖特基（JBS）二极管、散热器和负载电感。为研究这些寄生电容对6.25千伏电压下开关性能的影响，搭建了半桥相腿测试平台。通常这些寄生电容会减缓开通和关断瞬态过程，并导致显著的开关能量损耗增加。分析了负载电感中寄生电容的影响（该电感采用极短或极长导线串联）。通过对比两种不同热设计的相腿开关性能，研究了散热器相关寄生电容的影响。离散式10千伏碳化硅MOSFET因散热需要的大漏极板会产生较大寄生电容，在低负载电流下可导致开关能量损耗增加44.5%。
关键词： 10千伏碳化硅MOSFET，寄生电容，开关性能
更新于2025-09-04 15:30:14