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[2018年IEEE国际集成电路物理与失效分析研讨会(IPFA) - 新加坡(2018.7.16-2018.7.19)] 2018年IEEE国际集成电路物理与失效分析研讨会(IPFA) - 一种调节HBT器件触发电压用于ESD?；さ募蛞追椒?
摘要： HBT器件的触发电压对ESD保护至关重要。本文提出了一种调节锗硅异质结双极晶体管（HBT）器件触发电压的方法。仿真与实验结果表明，通过改变发射极结面积可简单实现HBT触发电压的调节。
关键词： 触发电压，静电放电（ESD），异质结双极晶体管（HBT）
更新于2025-09-23 07:13:59
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采用反向模式SiGe HBT的射频低噪声放大器在极端环境应用中的低温特性研究
摘要： 本文介绍了抗辐射射频（RF）低噪声放大器（LNA）的低温性能。该LNA最初是为缓解辐射环境中的单粒子瞬态（SET）效应而设计，其核心级联电路采用反型模式硅锗（SiGe）异质结双极晶体管（HBT）。本原型中，上部共基极SiGe HBT配置为反型模式以实现平衡的射频性能并降低SET敏感性。为拓展反型模式LNA在极端环境中的应用，本研究通过液氮测试评估了78K低温下的射频特性。虽然该SiGe LNA在所有温度条件下均表现出可接受的射频性能，但与常规正向模式设计相比，在78K时观察到明显的增益下降，这归因于反型模式SiGe HBT的高频性能限制。作为指导方案，本文讨论了包括版图优化和掺杂分布调整在内的补偿技术以改善观测到的增益退化问题。
关键词： 低噪声放大器（LNA）、异质结双极晶体管（HBT）、共源共栅、反向模式、极端环境、低温测量、硅锗（SiGe）
更新于2025-09-11 14:15:04
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基于可扩展小信号等效电路模型的GaAs HBT器件PAD电容确定新方法
摘要： 本文提出了一种测定异质结双极晶体管（HBT）寄生电容的新直接提取方法。其主要优势在于：通过使用具有相同焊盘布局的三种不同尺寸HBT，即可提取基极寄生电容Cpb。该方法基于改进的小信号模型，该模型考虑了基极和集电极馈线的分布效应。对于1×3×12μm2、2×2×20μm2和1×3×40μm2（发射极指条数×发射极宽度×发射极长度）的GaAs HBT，在高达40GHz的频率范围内，实测结果与模型计算结果高度吻合。
关键词： 可扩展模型、异质结双极晶体管（HBT）、参数提取、小信号模型、等效电路
更新于2025-09-09 09:28:46
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通过基于有限元的自动化工具和实验设计，对InGaP/GaAs异质结双极晶体管中的向上热流进行精确高效的分析
摘要： 本文通过全面分析，量化了最先进InGaP/GaAs异质结双极晶体管（HBTs）中所有关键技术参数对不同发射极面积和形状下向上热流的影响。借助基于商用三维有限元法（FEM）求解器和自主开发的几何结构自动构建、优化网格生成、顺序求解及数据存储/处理程序的工具，在较短时间内完成了极高精度的热仿真。采用实验设计方法，根据少量FEM数据建立了上述参数与热阻的函数模型。
关键词： 有限元法（FEM）、砷化镓（GaAs）、实验设计（DOE）、热仿真、热阻、异质结双极晶体管（HBT）
更新于2025-09-04 15:30:14
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[2018年IEEE BiCMOS与化合物半导体集成电路及技术研讨会（BCICTS） - 美国加利福尼亚州圣地亚哥（2018.10.15-2018.10.17）] 2018年IEEE BiCMOS与化合物半导体集成电路及技术研讨会（BCICTS） - 采用55纳米CMOS工艺节点、具有离子注入集电极的450 GHz f<sub>T</sub> SiGe:C异质结双极晶体管
摘要： 本文研究了一种具有注入集电极和DPSA-SEG发射极-基极结构的Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的优化设计。重点分析了砷和磷两种掺杂剂，一方面评估了硅缺陷与掺杂分布的控制效果，另一方面展示了高频性能。同时研究了碳-磷共注入技术，并通过器件版图优化，研制出与55纳米MOSFET工艺兼容、截止频率fT达450 GHz的先进HBT器件。
关键词： MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、注入集电极、异质结双极晶体管（HBT）、硅缺陷
更新于2025-09-04 15:30:14