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oe1(光电查) - 科学论文

152 条数据
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  • 高性能紫外-可见光敏感二维二硫化钼/一维氧化锌异质结构光电探测器

    摘要： 二硫化钼（MoS2）等二维过渡金属硫族化合物（TMDs）因其在构建未来光电器件方面的潜力而备受关注。然而，可见光范围内有限的光吸收、低光电响应度及缓慢的响应速度限制了其进一步应用。本研究提出通过构建二维MoS2薄片/一维ZnO纳米线混合维度异质结构来实现高性能光电探测器（PDs）的创新方案。将一维ZnO集成于p型或n型MoS2上形成的混合维度2D-MoS2/1D-ZnO异质结构光电探测器，不仅能拓宽光响应范围，还可显著提升二维MoS2薄片的光电响应度与响应速度。在365 nm光照下，p-MoS2/n-ZnO光电探测器的光电响应度、外量子效率及响应时间分别高达24.36 A/W、8.28×103%和0.9秒；在532 nm光照下，其光电响应度、外量子效率及响应时间分别为0.35 A/W、80.9%和140毫秒。这些性能指标优于或可比拟其他已报道的二维MoS2薄片光电探测器。本研究为通过二维MoS2与一维ZnO集成构建混合维度异质结构来实现高性能光电器件提供了可行策略。

    关键词： 氧化锌、光电探测器、异质结构、低维材料、二硫化钼

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 黑磷发光二极管的 Mid-infrared 极化发射 （翻译说明：专业术语"Mid-infrared"译为"中红外"更符合中文科技文献惯例，"Polarized Emission"译为"极化发射"准确传达偏振光发射概念，"Black Phosphorus Light-Emitting Diodes"采用"黑磷发光二极管"的标准译法，整体保持原文简洁的科技论文标题风格）

    摘要： 我们展示了一种基于二维半导体黑磷（BP）的中红外发光二极管。该器件由机械剥离的黑磷/二硫化钼异质结构成。在正向偏压下，它发射波长为λ=3.68微米的偏振电致发光，室温下的内量子效率和外量子效率分别约为1%和0.03%。在我们的结构中，耦合损耗主要由向高折射率衬底的辐射主导。黑磷带隙的可调性（进而通过层数、应变和电场调节其发射波长），使得这些LED特别适合异质集成到中红外光子平台中。

    关键词： 异质结构、二维材料、中红外发射器、发光二极管、黑磷

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 用于长波红外区域的高功率（>1瓦）室温量子级联激光器

    摘要： 制备并研究了发射波长接近8毫米的脊形量子级联激光器。实验证明该激光器在室温下可实现激射，单面最大输出峰值功率超过1瓦。

    关键词： 高功率量子级联激光器，异质结构

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 采用脉冲激光沉积法在SrTiO<sub>3</sub>衬底上外延生长高质量Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se薄膜及其表征

    摘要： 近期，Bi2O2Se因其适中的带隙尺寸、高电子迁移率及显著的环境稳定性，被证实是下一代电子器件中极具前景的二维半导体材料。同时研究预测，高品质的Bi2O2Se相关异质结构可能呈现压电性、拓扑超导等奇异物性。本研究首次通过脉冲激光沉积法成功实现了Bi2O2Se薄膜在SrTiO3衬底上的异质外延生长。最优条件下获得的薄膜呈现c轴垂直于膜面、a/b轴平行于衬底的择优取向外延生长。延长沉积时间时观察到生长模式向三维岛状结构的转变。70纳米厚薄膜在室温下实现了160 cm2/V·s的最高电子迁移率值。迁移率的厚度依赖性证实界面散射可能是低温区较低电子迁移率的主要限制因素，表明界面工程可作为调控低温电子迁移率的有效手段。本研究表明PLD法制备的外延Bi2O2Se薄膜在基础研究和实际应用中均具有重要价值。

    关键词： Bi2O2Se，脉冲激光沉积，异质结构，高迁移率，二维材料

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 伽马射线辐照下P-N结内建电场对Ir-LED电阻的影响

    摘要： 已知向砷化镓和磷化铟二极管的肖特基势垒中引入辐射缺陷的速率与电场的存在有关。本研究的主要目的是探究p-n结内建电场对伽马射线辐照下双AlGaAs异质结构红外发光二极管电阻的影响。研究发现，在p-n结存在内建电场或反向偏压的情况下，缺陷引入速率显著低于无电场中性区域的缺陷引入速率。随后探讨了提高红外发光二极管抗辐射性能的可能途径。

    关键词： 异质结构、p-n结、砷化铝镓、发光二极管、伽马射线

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 基于多量子阱AlGaInP异质结构的LED辐射硬度现象学模型

    摘要： 本文介绍了基于AlGaInP异质结构（波长λ=630 nm和λ=590 nm）的多量子阱LED的中子辐照退化特性。对于初始红色LED（λ=630 nm），可清晰区分三个特征区域：在小电流区观察到LED有源区的低电子注入模式；随着工作电流升高，依次出现有源区的中等和高等电子注入状态。但LEDY在中等与高等电子注入区的差异更为显著，且不存在低电子注入区。中等与高等电子注入区的分界可通过随辐照剂量上升的边界电流来表征。在快中子辐照下，两类LED的有源区均呈现低、中、高三种电子注入状态?；诮⒌姆⒐夤β时浠叵担岢隽薃lGaInP异质结多量子阱LED辐射硬化现象学模型。该LED的辐射硬化特性由边界电流值、有源区低电子注入时的发光功率以及初始缺陷结构共同决定。

    关键词： 异质结构，铝镓铟磷，发光二极管

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 高活性Ag-Rh和Ag-Pt天线-反应器型等离激元催化剂的脉冲激光合成

    摘要： 通过激光烧蚀法制备了Ag、Pt和Rh单金属胶体。将Ag与Rh、Ag与Pt分别混合后形成了异质结构，表现为Rh/Pt纳米颗粒聚集并吸附于较大Ag纳米结构的凹陷处。Ag-Pt和Ag-Rh异质结构的400 nm处Ag等离子体吸收峰分别发生轻微蓝移和红移。与单金属组分相比，Ag-Pt和Ag-Rh对4-硝基苯酚的还原催化活性显著提高，且在较低负载比例和连续还原循环中仍保持活性。这种增强效应归因于Rh和Pt纳米颗粒与Ag纳米结构形成了天线-反应器型等离子体催化剂。

    关键词： 铂、催化、多组分、铑、纳米粒子、天线-反应器、4-硝基苯酚、异质结构、银、激光烧蚀、等离子体

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • BiPO<sub>4</sub>/BiOBr异质结光催化剂在可见LED光照射下降解罗丹明B染料

    摘要： 采用醇解沉淀法合成的BiOBr，通过添加H3PO4制备BiPO4/BiOBr复合材料。采用全室温生产工艺成功合成了原始BiOBr及一系列BiPO4/BiOBr复合材料。利用X射线粉末衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、X射线光电子能谱和紫外-可见吸收光谱对样品的体相结构、表面形貌、元素组成及光学性能进行了表征。在可见LED光照射下评估了不同比例BiPO4/BiOBr复合材料、BiOBr和BiPO4对罗丹明B（RhB）的降解效果。与纯BiOBr和BiPO4相比，所制备的BiPO4/BiOBr复合材料表现出增强的性能，其中30% BiPO4/BiOBr复合材料的性能最佳，在120分钟内可降解95.66%的RhB（100 ml，15 mg/L）。BiPO4/BiOBr增强的光催化活性归因于BiOBr与BiPO4之间异质结的形成及高效的电荷分离。

    关键词： 异质结构、光催化降解、复合材料

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 多结太阳能电池制备过程中分离台面结构的湿法化学蚀刻方法开发

    摘要： 已研究了基于GaInP/GaInAs/Ge异质结构的多结太阳能电池台面结构的生长后处理工艺。探讨了湿法化学蚀刻和电化学蚀刻方法，并提出了一种形成分离台面结构的技术，该技术能改善不同层组分配比的异质结构台面侧壁表面质量和形貌。

    关键词： 多结太阳能电池、蚀刻、台面结构、异质结构

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 室温下4.8微米波长量子级联激光器有源区加热对动态与功率特性的影响

    摘要： 研究了在4.8微米光谱范围内室温下工作的条纹量子级联激光器的性能。分析了脉冲泵浦条件下激光器的功率特性和启动动力学。研究结果表明，在泵浦脉冲期间有源区存在显著温升。

    关键词： 有源区，泵浦脉冲，异质结构

    更新于2025-09-16 10:30:52