采用溅射AlN缓冲层的GaInN基LED反向漏电流改善

摘要： 本研究首次报道了在氮化镓铟基绿光发光二极管（LED）中采用溅射（SP）-氮化铝（AlN）缓冲层改善反向漏电流特性的成果。为探究改善机理，我们对反向漏电流特性进行了详细梳理与深入分析。研究确认该改善主要源于采用常规低温氮化镓缓冲层的替代方案有效抑制了变程跳跃传导过程，并验证了螺位错与V型缺陷会加剧变程跳跃传导效应。我们认为该研究将有助于实现具备高可靠性、长寿命及优异电学鲁棒性的绿光LED器件。