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低电场下SrTiO3改性Bi1/2Na1/2TiO3?KTaO3无铅压电陶瓷的高机电应变特性
摘要： 本研究探究了(0.99-x)Bi1/2Na1/2TiO3-0.01KTaO3-xSrTiO3(BNT-KT-100xST，x=0.20~0.235)无铅压电陶瓷的结构、介电、铁电及压电性能。这些压电陶瓷采用传统固相反应法合成。结果表明，在低至3 kV/mm的电场下，BNT-KT-22.5ST陶瓷仍能获得较大的电致应变和归一化应变(d33*≈793 pm/V)。其大应变可能源于非遍历弛豫体(NER)与遍历弛豫体(ER)之间的电场诱导相变。这意味着BNT-KT-100xST无铅陶瓷有望成为驱动器应用的理想候选材料。
关键词： 相变、无铅、三元体系、压电陶瓷、弛豫体
更新于2025-11-14 17:28:48
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钡改性无铅铌酸钾钠陶瓷的极化与声学特性
摘要： 报道了通过固相合成法制备的(1-x)(K0.5Na0.5)(Nb0.93Sb0.07)O3–xBaTiO3 + 0.5mol%MnO2体系（KNNS7–xBT）在x=0.01、0.02和0.04时样品的极化及极化翻转结果，并在宽温度范围内进行了研究。描述了该材料在铁电相变和结构相变过程中介电非线性的特征现象。比较了不同掺杂含量的KNNS7–xBT陶瓷样品的介电响应数据与其弹性性能的变化行为。
关键词： 介电常数、极化、固溶体、弹性性能、弛豫体、铁电体、陶瓷
更新于2025-09-23 15:23:52
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有序铅镁铌酸盐（PbMg<sub>1/3</sub>Nb<sub>2/3</sub>O<sub>3</sub>）薄膜中的弛豫行为
摘要： PbMg1/3Nb2/3O3（PMN）中与Mg和Nb短程有序相关的局部成分非均匀性，与其特征性的弛豫铁电行为相关联。完全有序的PMN无法作为块体材料制备。本研究通过人工降低无序程度（采用随机位点模型建议的交替生长Pb(Mg2/3Nb1/3)O3和PbNbO3异质结构层的方法），考察了在低于1073 K温度下生长的PMN薄膜的弛豫行为。使用过量20%铅的Pb(Mg2/3Nb1/3)O3和PbNbO3靶材，通过交替靶材定时脉冲激光沉积法，在(111)取向SrTiO3衬底上外延生长出100纳米厚的纯相薄膜。选区电子衍射证实出现了(1/2,1/2,1/2)超晶格斑点，并伴有尺寸达≈150纳米的随机分布有序畴。这些异质结构在室温下表现出800的介电常数、≈0.03的损耗角正切值以及≈11 μC cm?2的2倍剩余极化强度。极化-电场回线、瑞利数据和光学二次谐波测量结果均表明在140 K以下形成了铁电畴。随温度变化的介电常数测量显示其频率色散较之短程有序PMN薄膜有所降低。本研究表明工程化PMN薄膜中存在常规铁电行为与弛豫铁电行为之间的连续过渡。
关键词： 随机位点模型、弛豫体、铁电性、短程与长程有序、温度依赖的瑞利分析
更新于2025-09-23 15:21:01
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极化电场和温度变化对弛豫铁电体铌酸锶钡单晶介电异常的影响
摘要： 研究了x=0.75的单轴弛豫铁电体SrxBa1?xNb2O6沿极性[001]方向的介电性能随温度变化关系。电容最大值显示出弛豫体中常见的频率色散现象。在顺电相中还观测到额外的微弱介电异?！庑┮斐＝鲈诩尤裙讨谐鱿?，随后冷却时消失。研究将其归因于缺陷处强钉扎的大尺寸极性团簇和/或随机电场及其亚稳态特性。在室温下将铁电畴沿极性轴排列后，高温介电异常消失。研究还探究了电容值与介电峰温度随极化电场强度的变化关系。
关键词： 单轴、介电、弛豫体、SBN（铌酸锶钡）、随机场
更新于2025-09-09 09:28:46
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[(Na1?xKx)0.5Bi0.5]Ti0.985Ta0.015O3陶瓷中K/Na组分比对结构与压电性能的影响
摘要： 采用固相反应法制备了具有优良压电性能的[(Na1-xKx)0.5Bi0.5]Ti0.985Ta0.015O3（简称Ta-NK100x）无铅陶瓷，并系统研究了其结构与电学性能。当x=0.18、电场强度为60 kV/cm时，获得最大双极应变0.458%和单极应变0.448%，对应归一化应变d*33达747 pm/V。极化处理后的Ta-NK18在相同条件下单极应变提升至0.537%，相应d*33略增至894.5 pm/V。研究发现铁电-弛豫相变是产生大应变的主导机制，且该应变行为在105次极化反转循环中保持稳定，表明所制陶瓷是执行器和应力传感器的理想候选材料。
关键词： 铁电体、弛豫体、固相反应、压电性能、无铅陶瓷
更新于2025-09-04 15:30:14