InAs_1-x-ySb_xP_y梯度组分量子点在InAs(100)衬底上的成核时序与电子特性

摘要： 我们对在InAs(100)衬底上以Stranski-Krastanov生长模式生长的In-As-Sb-P组分液相梯度成分量子点(GC-QDs)的成核过程、形貌特征及电子光学性质进行了系统研究。这些GCQDs直径为10-120纳米，高度为2-20纳米，其组分分布呈现顶部Sb含量最高约20%、底部P含量最高约15%的分离特征，因而预期空穴将在量子点上部区域形成局域态。通过采用考虑应变和内建静电势的八带k·p模型，我们计算了与实验观测体系高度吻合的多种InAs1?x?ySbxPy GCQDs的空穴基态能级与电荷密度。最终结合实验与理论数据，获得了GCQDs集合体的吸收光谱。实测与模拟吸收谱的高度一致性表明，这类GCQDs可通过理论指导设计实现特定器件的定向制备。