修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

12 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • [2018年IEEE亚太天线与传播会议(APCAP) - 奥克兰(2018.8.5-2018.8.8)] 2018年IEEE亚太天线与传播会议(APCAP) - 6-18GHz四脊喇叭天线的研制

    摘要： 本文研究了四脊喇叭天线截止频率与脊的关系?；谘芯拷峁?，我们研制了一款工作频段为6至18GHz、具有高效率的四脊喇叭天线。测试结果表明，该天线在整个频带内的回波损耗均小于-10dB。当该四脊喇叭天线用于照射反射面天线时，其口径效率超过55.8%。

    关键词： 低回波损耗、截止频率、四脊喇叭天线、高效率、宽带

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 电磁波引起的光电子发射

    摘要： 阿尔伯特·爱因斯坦曾用光的粒子说解释光电效应，但该理论对某些现象的解释存在模糊之处。本文作者基于最新报道的电磁波理论阐释了光电效应，其理论体系完整涵盖了该效应的所有现象：包括电子逸出成因、光电子动能、光电流中光电子数量的数值依据、明确的逸出方向概念、初始逸出时间、类似闪光式的逸出现象、频率与强度依赖性、截止频率及功函数等。其中频率与强度的依赖关系已通过实验观测验证，实验结果显示光电子动能与光的强度和频率均成正比——这与理论解释的结论相符。本研究或可为运用光的波动理论阐释其他光子特性提供参考。

    关键词： 光电效应，电磁波理论，截止频率

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 应变硅对双极电荷等离子体晶体管器件性能的影响

    摘要： 在本手稿中，我们通过引入应变Si/SixGe1?x层作为有源器件区，分析了一种提升双极电荷等离子体晶体管(BCPT)性能的独特方法。为实现电荷等离子体效应，采用不同功函数的金属电极在未掺杂应变绝缘体上硅(sSOI或SixGe1?x)中诱导n+和p+区域，从而形成BCPT的发射极、基极和集电极。通过校准的二维TCAD仿真，研究了SixGe1?x中硅摩尔分数x对器件性能指标的影响。分析表明：随着硅含量降低或Si层有效应变增强，带隙会减小并产生相应优势。本工作报道了所提结构相比传统器件在电流增益、截止频率以及更低的集电极击穿电压(BVCEO)方面取得的显著改进。同时探究了应变Si层温度变化效应及其对器件性能的影响，分析展现了良好的器件级认知，并揭示了SixGe1?x材料作为器件层的巨大潜力。此外，通过大量二维混合模式TCAD仿真发现，与传统器件相比其开关瞬态时间也获得显著改善。

    关键词： 双极电荷等离子体晶体管（BCPT）、摩尔分数、截止频率（fT）、电流增益（β）、集电极击穿电压（BVCEO）、应变硅层、带隙降低

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • [IEEE 2018年第三届物联网国际会议：智能创新与应用(IoT-SIU) - 印度巴姆塔尔(2018.2.23-2018.2.24)] 2018年第三届物联网国际会议：智能创新与应用(IoT-SIU) - 基于InGaAs的50V多栅射频LMOS

    摘要： 本文提出一种基于InGaAs、采用p型InP衬底的50V射频功率多栅LMOS（MG-LMOS）结构。该结构包含三个位于沟槽内的n+多晶硅栅电极，以及外延层底部作为漏极的n+ InGaAs层——该漏极通过器件两端的垂直延伸漏极接触实现连接。MG-LMOS通过p基区中的多通道形成从漏极到源极的并行电流路径。该结构提升了漏极电流（ID），在提高跨导（gm）的同时降低了比导通电阻（Ron,sp），从而改善了截止频率（fT）和最大振荡频率（fmax）。通过二维仿真设计的50V耐压MG-LMOS，在相同单元间距下相比传统平面LMOS（CP-LMOS）实现了：ID提升3.9倍、Ron,sp降低5.4倍、gm增强5.9倍、fT增加2.1倍、fmax提高2.5倍。

    关键词： 多通道、LMOS、跨导、截止频率、InGaAs

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 太赫兹截止频率与多功能Ti?Ba?Ca?Cu?O??/GaAs光子带隙材料

    摘要： 通过传输矩阵法(TMM)，我们从理论上研究了太赫兹频段一维光子晶体(1DPCs)的透射特性和截止频率。该结构由高温超导体层和半导体层组成。计算结果表明了不同参数对截止频率的影响。我们采用双流体模型和德鲁德模型分别描述超导体与半导体的介电常数，并假设这两种材料的介电常数均受静水压影响。结果显示：随着工作温度、半导体厚度及半导体填充因子的增大，截止频率向低频区域移动；而当超导体厚度、静水压、掺杂浓度及超导体填充因子增加时，截止频率则向高频区域移动。这些结果表明截止频率可通过上述不同参数进行调控。该设计方案可应用于太赫兹波段的多种光学系统，如光学滤波器、反射镜及光电器件。

    关键词： 截止频率、传输矩阵法、光子晶体、掺杂浓度、静水压力、双流体模型、德鲁德模型

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [2019年IEEE国际天线与传播研讨会暨USNC-URSI无线电科学会议 - 美国佐治亚州亚特兰大市（2019年7月7日-12日）] 2019年IEEE国际天线与传播研讨会暨USNC-URSI无线电科学会议 - 一种用于分析等离子体光电混频器的单元不连续伽辽金方案

    摘要： 无序离子键合过渡金属氧化物薄膜晶体管（TFT）在多种直流和射频开关应用中展现出潜力，尤其适用于能发挥其低温、与衬底无关的工艺集成优势的场景。本文制备了增强型氧化锌TFT并评估其开关性能。动态电流-电压测试表明，这些TFT具有0.6 A/mm的漏极电流密度和极小的频率色散。实验测得0.75微米长沟道器件的高频功率开关优值RON·QG为359 mΩ·nC（RON为导通态漏源电阻，QG为栅极电荷），通过尺寸缩减可使11V耐压器件达到45.9 mΩ·nC。相同0.75微米TFT实测射频开关截止频率fc达25GHz，经优化后fc有望突破500GHz，功率处理能力可达数十瓦量级。

    关键词： 氧化锌，直流开关，截止频率，脉冲测量，栅极电荷，单片集成电路，射频开关，离子半导体，薄膜晶体管（TFT）

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [2019年IEEE/CVF国际计算机视觉会议(ICCV) - 韩国首尔(2019.10.27-2019.11.2)] 2019 IEEE/CVF国际计算机视觉会议(ICCV) - 基于单幅图像的精细人体深度估计神经网络

    摘要： 无序离子键合过渡金属氧化物薄膜晶体管（TFTs）在多种直流和射频开关应用中展现出潜力，尤其适用于能发挥其低温、与衬底无关工艺集成优势的场景。本文制备了增强型氧化锌TFTs并评估其开关性能。动态电流-电压测试表明，这些TFTs具有0.6 A/mm的漏极电流密度和极小的频率色散。实验测得0.75微米长沟道器件的高频功率开关优值RON·QG为359 mΩ·nC（其中RON为导通态漏源电阻，QG为栅极电荷），通过尺寸缩减可使11V额定器件达到45.9 mΩ·nC。相同0.75微米TFT测得射频开关截止频率fc为25 GHz，经优化后预计fc可超500 GHz并实现数十瓦功率处理能力。

    关键词： 单片集成电路、脉冲测量、氧化锌、栅极电荷、直流开关、离子半导体、射频开关、薄膜晶体管（TFT）、截止频率

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [IEEE 2019年第三届多学科研究与创新技术国际研讨会(ISMSIT) - 土耳其安卡拉 (2019.10.11-2019.10.13)] 2019年第三届多学科研究与创新技术国际研讨会(ISMSIT) - 平板波导中聚合物厚度与频率对TE模式的影响

    摘要： 微波频段的现代技术采用单种或多种聚合物材料以提升性能。本文重点研究一类特定聚合物——Garlock材料，探讨其在介质平板波导中的单层应用。研究进一步分析了采用不同厚度Garlock介质板的波导结构中，电磁波强度增加对TE模态的影响。结果表明，每种模态都具有特定参数：随着频率升高，传播波数与衰减值略有增加，而有效趋肤深度减小；另一方面，在恒定Garlock厚度条件下，各模态的截止波数与截止频率保持固定。仿真结果显示，增加Garlock介质板厚度会导致特定模态的截止波数与截止频率降低，同时使传播波数与衰减值增大。

    关键词： 平板电介质、聚合物、波导、加洛克（Garlock，可能为特定品牌或名称）、X波段、截止频率

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 具有创纪录截止频率310 GHz的深度缩放硅基氮化镓高电子迁移率晶体管

    摘要： 已展示一款深度缩放的硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT），其截止频率（fT）创纪录地达到310 GHz。该器件采用InAlN/GaN异质结结构，源漏间距为400纳米，栅极长度为40纳米。器件展现出2.34安培/毫米的高漏极电流、523毫西门子/毫米的峰值跨导以及15伏的栅漏击穿电压（BVgd）。实现了4.65太赫兹·伏的约翰逊优值（FOM = fT × BV），与碳化硅基氮化镓器件报道值相当。这些结果表明硅基氮化镓晶体管在低成本新兴毫米波应用中极具前景。

    关键词： 毫米波应用、硅基氮化镓、高电子迁移率晶体管（HEMT）、截止频率

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 《[电气工程讲义] 信号处理与通信进展 第526卷（ICSC 2018精选会议录）》|| 具有改进射频功率性能的场板AlInN/AlN/GaN MOSHEMT

    摘要： 本文提出了一种采用栅场板技术的AlInN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOSHEMT），旨在研究射频功率性能的依赖关系。利用Silvaco技术计算机辅助设计（TCAD）对该器件进行了详细的射频功率分析。数值模拟采用非局域能量平衡（EB）输运模型。结果表明，栅场板AlInN/GaN MOSHEMT在微波应用中具有提供高电流和高功率的广阔前景。

    关键词： AlInN/GaN，截止频率，栅场板，击穿电压，MOSHEMT

    更新于2025-09-10 09:29:36