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SiC陶瓷的低温无压连接
摘要： 采用钛粉中间层实现了碳化硅陶瓷的低温无压连接。通过分析连接接头的相组成和微观结构发现，由于连接温度相对较低，扩散连接后的产物主要由Ti5Si3和TiC构成。此外，检测到Si和C元素在钛中间层中具有更深的渗透深度。得益于脆性Ti5Si3相和孔隙率的较低占比，在1200℃连接30分钟后接头剪切强度达到较高的41 MPa。
关键词： 碳化硅陶瓷，剪切强度，钛粉，扩散连接，无压烧结
更新于2025-09-10 09:29:36