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电场作用下GaAs/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1?x</sub>As多量子阱中电子的子带间跃迁光学吸收
摘要： 基于有效质量近似，在考虑横向电?。↙EF）的情况下，通过自洽求解GaAs/AlxGa1?xAs多量子阱（MQWs）中的薛定谔方程和泊松方程，获得导带电子基态与第一激发态的波函数与能级。随后基于费米黄金法则，探讨了尺寸、三元混晶、掺杂浓度及温度对电子基态与第一激发态间跃迁所导致的线性与非线性子带间光学吸收系数（IOACs）以及折射率变化（RICs）的影响。结果表明：在固定LEF时，随着Al组分与掺杂浓度增加，IOACs产生红移；阱宽与垒宽增大时IOACs呈现蓝移且振幅增强，但垒宽变化对非线性IOACs影响更为显著；而温度升高则先导致IOACs蓝移后转为红移。当其他参数固定但LEF增大时，IOACs发生蓝移，RICs具有相似特性。
关键词： 多量子阱、电子子带间跃迁的光学吸收、折射率变化、横向电场
更新于2025-09-23 15:22:29
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能量依赖有效质量GaAs/Ga_xIn_{1-x}As与GaAs/Al_xGa_{1-x}As量子阱体系的光学特性：打靶法研究
摘要： 本文通过紧致密度矩阵方法研究了能量依赖性有效质量对GaAs/GaxIn1?xAs和GaAs/AlxGa1?xAs量子阱系统光学特性的影响。我们采用简单的打靶法求解所得非线性薛定谔方程并给出算法。研究表明，能量依赖性有效质量效应对于量子阱较窄的系统更为重要。在能量依赖性有效质量假设下，吸收系数峰值高度随系统总长度L的增加而增大；而在恒定有效质量极限情况下，吸收系数峰值高度不受L变化的影响。对于GaAs/AlxGa1?xAs系统，在固定有效质量近似中，随着阱数增加，线性吸收系数振幅先增大后减??；在能量依赖性有效质量情况下则单调递减。阱数增加时，线性吸收系数峰值位置先发生蓝移后出现红移。GaAs/GaxIn1?xAs系统的情况更为复杂（文中详述），但其量子阱系统的吸收系数峰值高度大于GaAs/AlxGa1?xAs系统。
关键词： 射击法，砷化镓/砷化镓铟1?x和砷化镓/铝化镓1?x量子阱，折射率变化，能量依赖的有效质量，吸收系数
更新于2025-09-23 15:21:21
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氟化钙晶体内的双轨波导
摘要： 选择氟化钙（CaF2）作为研究对象，因其具有立方对称性和优异的发光特性，并成功实现了体块双轨波导的超快激光刻写。本文展示了这些波导的导光特性与飞秒脉冲写入能量的关系。通过系统的光束传输实验和数值模拟研究，对改进型双轨波导进行了深入分析。此外，采用适配模型和概念对波导进行定性与定量表征，尤其针对传输损耗测量和改性区域的三维折射率分布进行了研究。同时，还探究了偏振相关导光特性。
关键词： 氟化钙、定量相位成像、波导、飞秒激光、立方晶体、微加工、双轨、光子器件、直接激光写入（DLW）、折射率变化
更新于2025-09-16 10:30:52
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激光光纤及预制棒中的应力诱导折射率变化
摘要： 纤芯的折射率分布是光纤激光器和放大器的关键设计参数。制造过程中，初始折射率分布信息源自预制棒，而最终性能则由光纤的折射率分布决定。由于应力和扩散作用，两者可能存在差异。当我们将应力诱导折射率变化模型应用于实测预制棒折射率分布数据时，能够更准确地预测激光光纤的折射率。这种从预制棒预测光纤折射率的改进能力，增强了实现光纤设计折射率分布的信心，从而实现更快的工艺反馈和更高的光纤成品率。
关键词： 激光光纤、张力、光纤、建模、热应力、预制棒、折射率变化、DND、应力
更新于2025-09-11 14:15:04