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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 导通态栅极偏压导致p-GaN栅极AlGaN/GaN功率器件漏电流增加的机理

    摘要： 本文报道并观察到p-GaN栅极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)中，由导通态栅极偏压引发的关断态漏电流增加现象。实验发现更高的栅极偏压电压和更长的偏压持续时间会导致更大的关断态漏电流。我们提出：关断态漏电流的初始增加及其随后的时间衰减，是由于导通态栅极偏压期间空穴注入和电致发光效应在GaN中引发的持续光电导作用所致。在室温条件下，这种增强的漏电流需要超过20秒才能在黑暗环境中降至平衡水平。同时本文也提出了该现象在p-GaN栅极HEMT结构中相关的物理机制。

    关键词： p型氮化镓栅极，铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管，持续光电导，漏电流，电致发光

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 利用脉冲加热抑制AlGaN/GaN异质结构光电探测器的持续光电导现象

    摘要： 本文展示了一种通过脉冲加热模式缩短AlGaN/GaN光电探测器衰减时间的方法。我们制备了集成微加热器的悬浮式AlGaN/GaN异质结构光电探测器，并在紫外光照射下进行表征。研究发现，施加脉冲加热能有效加速持续光电导（PPC）过程。在相同功率（280 mW）条件下，衰减时间从直流加热的175秒显著缩短至50赫兹脉冲加热的116秒。当采用相同脉冲占空比和50赫兹脉冲加热频率时，与直流加热相比，衰减时间减少了30-45%。

    关键词： 脉冲加热、持续光电导、衰减时间、AlGaN/GaN异质结构、光电探测器

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 基于SrTiO?异质界面的光响应特性研究

    摘要： 近年来，基于SrTiO3的异质界面二维电子气因其探索新奇物理现象和下一代电子学的潜力而备受关注。该系统最引人入胜的特性之一在于：光作为强大的外部扰动可改变其输运特性。最新研究表明，基于SrTiO3的异质界面具有持续光电导效应，且可通过表面与界面工程进行调控。这些研究不仅揭示了光响应过程中的本征物理机制，更凸显了其作为新型全氧化物光电器件工具的潜力。本综述主要针对基于SrTiO3异质界面的光响应研究展开。

    关键词： 持续光电导（PPC）、复杂氧化物、二维电子气、LaAlO3/SrTiO3异质界面

    更新于2025-09-10 09:29:36