p型锑掺杂氧化亚铜空穴注入层集成于透明ITO电极，用于无酸性PEDOT:PSS的量子点发光二极管

摘要： 研究开发出一种透明p型掺锑氧化亚铜（ACO）与掺锡氧化铟（ITO）复合薄膜作为量子点发光二极管（QD-LEDs）的空穴注入层（HIL）和阳极组合电极，用以替代基于酸性PEDOT:PSS HIL的电极。通过ACO与ITO靶材的梯度共溅射工艺，可在ITO电极表面区域集成梯度p型ACO缓冲层。经正霍尔系数（1.74×10?3）验证，该ACO薄膜的p型导电性使其能有效充当QD-LEDs的空穴注入层。由于p型ACO与ITO电极功函数匹配良好，无酸性PEDOT:PSS的QD-LEDs展现出典型的电流-电压-发光特性。这种采用p型ACO/ITO复合电极的无PEDOT:PSS QD-LED成功运行表明：ACO与ITO阳极的梯度溅射工艺具有更简单的制备步骤，既能降低QD-LEDs成本，又能消除酸性PEDOT:PSS层引发的界面反应，从而提升器件可靠性。