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[2018年IEEE国际半导体激光会议(ISLC) - 新墨西哥州圣菲市(2018.9.16-2018.9.19)] 2018年IEEE国际半导体激光会议(ISLC) - 超过450毫瓦的高功率氮化镓基蓝色超辐射发光二极管
摘要： 我们展示了一种采用倾斜端面结构的高功率蓝色超辐射发光二极管（SLD）。在1A脉冲电流注入下，获得了457 mW的光功率和6.5 nm的宽光谱带宽，从而实现了约2970 mW·nm的大功率-带宽积。
关键词： 氮化镓，放大自发辐射（ASE），超辐射发光二极管（SLD），激光二极管
更新于2025-11-28 14:23:57
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掺铒光纤放大器发射的经典关联放大自发辐射光子鬼光谱学
摘要： 我们展示了掺铒光纤放大器（EDFA）在1530纳米波段附近发射的经典宽带放大自发辐射（ASE）光子的波长-波长相关性。随后将这些经典关联光子应用于1533纳米波长的实际鬼光谱实验中，对乙炔（C2H2）进行检测，成功复现了C-H伸缩振动和转动谱带的特征吸收特性。这项原理验证实验证实了ASE光源概念的普适性，为经典鬼光谱提供了一种具有吸引力的光源方案。预计通过利用经典关联光子，该技术将推动鬼成像模式方案在化学、物理及工程领域的进一步应用推广。
关键词： 光谱相关性、量子光学、相干性、关联光子、掺铒光纤放大器、光子关联模式、鬼成像、放大自发辐射（ASE）、光谱学、鬼光谱、鬼模式
更新于2025-09-22 18:29:46
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基于量子点半导体光放大器的超快全光数字比较器
摘要： 本研究中构建了三种基于量子点半导体光放大器(QD-SOAs)的160 Gb/s全光数字比较器。这些配置采用不同的逻辑门与QD-SOAs组合方式。通过数值模拟，我们从逻辑门与QD-SOAs数量、消光比(ER)值等维度评估器件性能，并分析了放大自发辐射(ASE)噪声对ER和品质因数(Q因子)的影响。结果表明：三种配置中有两种在电路复杂度、ER值及注入电流敏感性方面表现更优。即便考虑强ASE噪声干扰，这两种配置仍能实现超过10 dB的ER值和高于9的Q因子。所提配置具有高质量、易配置、低注入电流敏感性和强抗噪性等优势，适合实际应用。本研究还明确了各配置的优缺点，有助于根据具体需求选择合适的比较器方案。
关键词： 逻辑门，全光数字比较器，放大自发辐射（ASE），量子点半导体光放大器（SOA）
更新于2025-09-23 05:09:15
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β-LiYF4:Ce,Tb微纳米晶体中的放大自发辐射（ASE）与激光效应
摘要： β-NaYF4晶体家族是具有多种应用潜力的有趣材料。本文报道了我们通过水热合成法制备的三种材料——LiY0.7F4:(Ce0.2Tb0.1)、NaY0.5F4:(Ce0.4Tb0.1)和LiLuY0.7F4:(Ce0.2Tb0.1)——的放大自发辐射(ASE)与激光效应研究。发光活性离子为Tb3+。具有六角形板状形态的β-LiY0.7F4:(Ce0.2Tb0.1)晶体在λex=365 nm激发下ASE阈值为400 mW/cm2，掺杂PMMA棒（长度25 mm）的激光阈值为490 J，并在542 nm处观测到激光谱线。
关键词： β-LiYF4:Ce,Tb微纳米晶体，激光效应，放大自发辐射（ASE），水热生长
更新于2025-09-19 17:13:59
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基于三嗪中心、具有抑制分子内电荷转移特性的D-A型悬挂共轭分子作为有机半导体激光器的增益介质
摘要： 设计、合成并研究了一组以三嗪为中心、三个咔唑取代基为供体-受体(D-A)型侧链结构的芴封端共轭分子(T-m和T-p)，将其作为有机半导体激光器(OSLs)的增益介质。特别地，改变芴单元在侧链核心结构上的封端位置会导致显著不同的分子内电荷转移(ICT)特性——其中T-m表现出抑制的ICT特性和高荧光量子产率。纯膜中最低的放大自发辐射(ASE)阈值分别为T-m的1.9 μJ/cm2和T-p的83.8 μJ/cm2，表明T-m的抑制ICT特性有助于增强ASE性能。值得注意的是，当T-m薄膜样品在空气中退火至180°C时，其ASE阈值几乎保持不变，ASE光谱仅出现极小偏移(1 nm以内)。相比之下，其线性类似物2FEtCz-m在100°C以上退火时ASE阈值明显升高。结果表明，选择性构建具有抑制ICT特性的共轭侧链分子有利于精细调控光学电学性能，同时提升热稳定性和光稳定性，展现出作为OSLs稳健增益介质的巨大潜力。
关键词： 有机半导体、放大自发辐射（ASE）、有机半导体激光器、侧链共轭分子、分子内电荷转移（ICT）
更新于2025-09-12 10:27:22