GaAs/AlGaAs异质结中整数量子霍尔效应的高频击穿

摘要： 整数霍尔效应是一种在约100赫兹以下频率被深入研究的现象。高频霍尔电导中的平台已在实验中被证实可保持至33吉赫兹，但更高频率下的行为大多仍未被探索。通过连续波太赫兹光谱技术，研究人员在69-1100吉赫兹范围内研究了砷化镓/铝镓砷异质结的复霍尔电导。当频率超过100吉赫兹时，量子平台会显著模糊化，并被电导实部中的微弱量子振荡所取代。这些振荡的振幅随频率升高而递减。接近1太赫兹时，霍尔电导未显示出任何与朗道能级填充相关的特征。虚部也观测到类似振荡现象——该效应在零频条件下并无对应表现。这一实验结果与现有高频量子霍尔效应的理论认知存在矛盾。