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oe1(光电查) - 科学论文

8 条数据
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  • 炔基钌-金纳米粒子杂化物中的优异双光子吸收

    摘要： 含三(2-噻吩基)、三(1,2,3-三唑基)或三苯基苯核的钌炔烃"星型"配合物可稳定金纳米粒子(AuNPs)。循环伏安法、透射电镜、分子模拟、动态光散射、X射线光电子能谱及能量色散X射线光谱研究表明：每个AuNP表面约装饰有5个三噻吩基或三唑基苯核星型配合物。透射电镜测得直径约2.5 nm的三噻吩苯核金纳米杂化物，其吸光度显著低于十二烷基硫醇稳定的经典Brust纳米粒子；在飞秒脉冲辐射下，该材料在可见光至近红外区域展现出极强的饱和吸收与双光子吸收特性（500 nm处达3,000,000 GM，750 nm处为46,000 GM；1 GM=10??? cm?·s·光子?1）。

    关键词： 金纳米粒子、非线性光学、无机材料、金属炔基配合物、有机金属化学。

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 通过等离子体增强原子层沉积法用氧化铝封装的高度稳定的全无机CsPbBr<sub>3</sub>纳米晶体薄膜

    摘要： 全无机CsPbBr3纳米晶体（NCs）被视为多种光电器件应用的有力候选材料。然而，由于CsPbBr3 NCs表面活性高且具有离子特性，其材料不稳定性严重制约了应用前景。因此，获得适用于实际应用的稳定CsPbBr3 NCs薄膜至关重要。本研究采用等离子体增强原子层沉积技术在NCs薄膜表面沉积Al2O3以实现薄膜稳定化。致密的Al2O3薄膜能产生优异的封装效果，显著提升CsPbBr3 NCs薄膜的稳定性。该工作不仅为NCs薄膜包覆提供了先进技术，也为解决CsPbBr3 NCs的稳定性问题作出贡献。

    关键词： 等离子体增强原子层沉积、封装、无机材料、稳定性、溴化铯铅纳米晶体

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 具有可控几何形状的薄硅基微片

    摘要： 许多领域对具有特定几何形状和尺寸的材料有着大量需求。无机化合物（尤其是硅基材料）因其成本低廉且化学性质灵活，成为满足这一需求的理想来源。二氧化硅具有独特性能，例如易于功能化且光学特性良好，便于调控。本研究开发了一种利用超疏水-亲水微阵列制备具有特定尺寸和高保真形状的薄层二氧化硅微片的方法。这些微结构通过溶胶-凝胶工艺制成，采用装饰有可润湿斑点的仿生超疏水表面。实验结果证实成功制造出具有明确设计（方形和圆形）且厚度约7微米的多孔二氧化硅微结构。本方法可实现一步法高通量制备定形二氧化硅材料，为微电子等需要微型化的领域以及传感、生物医学等众多应用场景开辟了广阔前景。

    关键词： 二氧化硅微片，高保真形状，无机材料，高通量，溶胶-凝胶法

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 溴化十六烷基三甲基铵辅助湿化学法合成的含镧锡酸钡纳米颗粒在钙钛矿太阳能电池中的应用

    摘要： 本文报道了以溴化十六烷基三铵辅助湿化学法合成的Ba0.94La0.06SnO3与溶胶-凝胶法合成的TiO2纳米颗粒（以CH3NH3SnCl3为吸光层、NiO为空穴传输层）的光伏性能对比研究。X射线衍射分析表明：Ba0.94La0.06SnO3、TiO2和NiO纳米颗粒分别形成立方相、四方相和立方相，平均晶粒尺寸约25 nm；CH3NH3SnCl3纳米颗粒呈现单斜相，平均晶粒尺寸约5 nm。测得Ba0.94La0.06SnO3、TiO2、NiO和CH3NH3SnCl3纳米颗粒的带隙值分别为3.6 eV、3.4 eV、3.5 eV和2.8 eV。采用热蒸镀工艺制备银对电极，在约100 mW/cm2光照条件下研究了器件的功率转换效率。

    关键词： 氧化物材料、钙钛矿、无机材料、锡酸钡纳米颗粒、湿化学法

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 基于钙钛矿的稳定阻抗与电容模式光电探测器

    摘要： 如今，钙钛矿作为一种极具前景的光敏材料，正应用于下一代溶液法制备器件中。基于钙钛矿的太阳能电池在一定环境条件下会发生降解，随后被废弃。在我们的研究中，我们将这些降解电池重新利用，制成了高性能稳定的钙钛矿基光电探测器。该探测器的结构为FTO/PEDOT:PSS/钙钛矿/PC61BM/CdS/Ag，其阻抗和电容对光照具有敏感性。为增强激子产生和光吸收能力，我们选用硫化镉与PC61BM共同构成电子传输层，并使用PEDOT:PSS层进行空穴传输。通过原子力显微镜、X射线衍射和紫外吸收光谱研究了钙钛矿层的表面形貌、成分及吸收特性。我们检测了样品在100 Hz至200 kHz频率范围内受光照影响的电学参数。实验结果表明：当光照强度从黑暗环境变化至325 W/m2时，在100 Hz频率下观测到最高阻抗和电容值——阻抗灵敏度为-126.154 kΩ·m2/W，最高电容灵敏度达6.77 pF·m2/W。我们还测量了频率-阻抗/电容关系及其灵敏度，结果显示在100 Hz至200 kHz范围内，黑暗条件下的最大阻抗灵敏度为-343.37 Ω/Hz；而当光照强度为325 W/m2时，电容灵敏度达到最高值(-37.27 pF/kHz)。这些现象可归因于光照下电子-空穴对的产生及其浓度增加，同时存在内建电容效应及电荷迁移率可能的频率依赖性。

    关键词： 电容模式、频率、光电探测器、混合有机-无机材料、阻抗模式、钙钛矿

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 关于硫酸铝钾晶体发光、线性和激光诱导光学特性及其在光子器件应用中的新报告

    摘要： 光学质量的无机晶体已成为设计光子器件的关键要素，因此本研究采用缓慢溶剂蒸发法生长了块状硫酸铝钾（KAS）单晶。通过粉末X射线衍射分析确定了KAS晶体的晶相，并利用单晶XRD技术实验测定了其结构参数。采用紫外-可见光谱分析研究了KAS晶体在200-900纳米波长范围内的光学透过率。针对目标可见光范围考察了KAS晶体的色心发光特性。使用脉冲模式运行的1064纳米Nd:YAG激光器测定了KAS晶体卓越的抗激光辐照能力。在640纳米波长下检测了KAS晶体的三阶非线性光学（TONLO）特性，并报道了TONLO折射率、吸收系数及非线性极化率的性质。

    关键词： 晶体生长、光学研究、无机材料

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 有序硅酸镧镓矿La3Ga5MO14:Eu3+ (M = Zr, Hf, Sn)作为红色发光LED荧光粉

    摘要： 研究了掺杂高达20% Eu3?的三种有序硅酸镧镓晶体La?Ga?ZrO??（LGZr）、La?Ga?HfO??（LGHf）和La?Ga?SnO??（LGSn）的温度依赖性发光行为。通过未掺杂化合物的漫反射测量确定了其带隙能量分别为4.32 eV（LGZr）、4.43 eV（LGHf）和4.46 eV（LGSn）。采用激发光谱、发射光谱（77-500 K）和发光寿命测量（77-300 K）研究了结构差异对这三种硅酸镧镓晶体发光性能的影响。三者的猝灭温度存在差异，这些温度是通过电荷转移带（300 nm）和4f能级（394 nm）不同激发波长获得的。LGSn:Eu 20% Eu3?展现出最佳的温度性能，在500 K时其强度保持为300 nm激发下77 K强度的85%和394 nm激发下的67%。在室温及394 nm激发波长下，LGZr:Eu 20% Eu3?、LGHf:Eu 20% Eu3?和LGSn:Eu 20% Eu3?分别达到最大量子效率41%、58%和68%。观察到的猝灭行为通过半定量构型坐标图得到解释?；谡庑┙峁案吆焐慷?，将这些硅酸镧镓晶体与发射波长为394 nm的（In,Ga）N芯片集成制成LED，以测试其作为红色LED荧光粉的适用性。

    关键词： 无机材料、光学性能、稀土合金与化合物、荧光粉、氧化物材料、发光

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • (Cu6PS5Br)1-(Cu7PS6)混合晶体的结构与光学性质

    摘要： 报道了布里奇曼法生长的(Cu6PS5Br)1-x(Cu7PS6)x混合晶体的结构与光学性质。X射线衍射数据显示富Cu6PS5Br晶体(0<x<0.4)为面心立方晶格(Fm-34空间群)，富Cu7PS6晶体(0.4<x<1)为原始立方晶格(P213空间群)。这些结构数据与拉曼光谱相关联——除银砷矿型Cu6PS5Br和Cu7PS6晶体的典型特征峰外，在相应组分区间还观察到仅属于端元化合物的弱谱带?；诼瓷涔馄锥滩ū咴档墓馄孜恢茫芯苛四芟兜淖榉忠览敌?，呈现非线性变化特征。

    关键词： 无机材料、晶体生长、漫反射、拉曼散射、X射线衍射、晶体结构

    更新于2025-09-04 15:30:14