修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

5 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • 基于神经网络的并网太阳能系统控制器比较研究

    摘要： 本文提出了一种基于神经网络的电流控制器对比评估方法，并通过硬件验证来提升并网电压源逆变器（VSI）控制太阳能系统的电能质量。采用智能自适应电流控制器消除了传统线性PI和PR控制器中存在的稳态误差、暂态扰动及高次电流谐波效应。通过使用不同权重调节算法控制的人工神经网络拓扑结构，确定了三种自适应电流控制策略（ADALINE-LMS、ALLMS和VLAS-LMS），这些策略有助于最小化因广泛使用的VSI、非线性负载、故障及污染电网所产生的电流谐波。从所提出的自适应控制器的稳定性和收敛准则、不同功率区段计算的电流幅值、超调百分比、调节时间以及电能质量等方面进行了全面对比研究，并在多种运行条件下进行分析。通过对传统与智能电流控制器的对比评估，证实智能控制技术在非线性负载和暂态条件下表现最佳，而所有控制器在线性负载下表现相当。所提方法在MATLAB/Simulink中进行了仿真，并从时域响应、稳定性及低次电流谐波补偿能力方面比较了其有效性。通过使用dSPACE RTI 1202进行的实验性能验证了智能电流控制器的鲁棒性。

    关键词： 并网太阳能、电能质量、稳定性、dSPACE、神经网络（NN）、电流控制器（CC）、时间响应

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 用于常规和超快表面增强拉曼散射的光纤尖端探针研究

    摘要： 在本研究中，我们采用恒定结构的介质锥形光纤探针，通过改变金纳米颗粒（NPs）的空间排布方式，对光纤尖端探针中超短脉冲传播进行了三维计算实验。有趣的是，电场强度最高的"热点"并非出现在同排纳米颗粒链上，而是位于探针尖端相邻纳米颗粒链的末端颗粒之间（同排链间热点的电场强度量级为101，而相邻链末端颗粒间的电场强度量级达103）。最终我们确定仅含六个末端纳米颗粒的构型（Config4）具有最高的电场增强幅度，能在表面增强拉曼散射（SERS）检测目标物体时提供最佳空间分辨率。所有构型的热点超短时域响应均呈现较高脉冲展宽（相对展宽超过4.3%）。同时由于入射脉冲反射及后续干涉效应，除最优构型Config4外，多数热点的时域响应都包含多个峰。值得注意的是，Config4所有热点的超短时域响应虽呈单峰特征，但脉冲展宽仍较显著（相对展宽达234.1%）。结果表明，这种仅含六个末端纳米颗粒的新型金纳米颗粒包覆光纤尖端探针结构值得进一步研究，其可能具备重要的实际应用价值。

    关键词： 金纳米粒子、飞秒脉冲、光纤尖端探针、超快纳米光子学、表面增强拉曼光谱、时间响应

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 利用有机分子层对AlN进行表面改性以提高深紫外光电探测器性能

    摘要： 氮化铝（AlN）具有6.2电子伏特的直接宽禁带、高温稳定性和抗辐射性，是深紫外（UV）光电探测的理想半导体材料。然而，AlN表面存在的大量表面态会显著影响其器件的性能和可靠性。本研究探究了单层有机分子钝化AlN表面态的潜力，从而提升了基于AlN的金属-半导体-金属（MSM）深紫外光电探测器性能。成功将介-5,10,15-三苯基-20-(对羟基苯基)卟啉锌(II)配合物（ZnTPP(OH)）有机分子吸附于AlN表面，形成自组装单分子层（SAM）。通过接触角测量、原子力显微镜（AFM）和X射线光电子能谱（XPS）对分子层进行了表征。AlN表面修饰使探测器暗电流降低十倍且未影响光电流强度（尤其在低电压下），光电导增益比（PDCR）在-2V时从930提升至7835，响应度在5V时从0.3 mA/W增至0.6 mA/W。此外，表面修饰后探测器的上升/下降时间均缩短。结果表明卟啉分子自组装单分子层有效钝化了AlN表面态，从而显著改善了光电探测器性能。

    关键词： 暗电流、光电流-暗电流比（PDCR）、MSM紫外光电探测器、表面态、自组装单分子层（SAM）、响应度、时间响应

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • MOCVD生长的自发AlGaAs超晶格上制造的MSM光电探测器具有改进的光谱和时间响应特性

    摘要： 报道了一种共面金属-半导体-金属非对称背靠背肖特基二极管光电探测器，该器件采用金属有机气相外延技术在GaAs(100)衬底上生长的天然超晶格AlGaAs材料。研究发现，基于超晶格的器件在探测效率和光响应性能方面显著优于高温退火均质AlGaAs器件。在1V正向偏压下，原生天然超晶格器件的响应度、探测率和灵敏度峰值分别为10.133 mA/W、7.6×1011 cmHz1/2W?1和81.06 cm2/W，而均质AlGaAs器件的对应值分别为1.14 mA/W、7.05×101? cmHz1/2W?1和2.82 cm2/W。此外，天然超晶格结构器件对脉冲光的响应速度更快，上升时间和衰减时间分别为560μs和1ms，而无序体AlGaAs器件对应时间为2ms和7ms。通过建立包含三个二极管的模型解释了器件优异的光谱和时间特性：两个金属-半导体结处的肖特基二极管，以及表征超晶格调制净效应的第三个二极管。第三个势垒主要由铝组分的周期性调制产生，在光照下激活超晶格通道增强光电流的同时保持暗电流较小。有源半导体层中异质界面处内建电场对光生载流子的快速扫掠，使得超晶格结构器件的特征时间远小于均质AlGaAs器件。光响应和速度性能的退化归因于热退火导致的互扩散效应。

    关键词： AlGaAs/GaAs，光谱响应，金属-半导体-金属光电探测器，天然超晶格，时间响应

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 用于中子飞行时间探测器的高时间响应、线性输出电流的MCP光电倍增管

    摘要： 已研制出一种具有亚纳秒时间响应和高线性输出电流的微通道板光电倍增管（MCP-PMT）。该PMT专为探测紫外、可见及近红外波段的微弱辐射脉冲而设计，可用于热核燃料激光压缩实验中的中子飞行时间（nTOF）探测器。文中给出了MCP-PMT主要参数的测量结果：光阴极光谱灵敏度、增益、最大线性输出电流及时间响应。

    关键词： 中子飞行时间探测器、微通道板光电倍增管、热核燃料、线性输出电流、时间响应、激光压缩

    更新于2025-09-10 09:29:36