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等离子体纳米腔中有机-无机激子极化子的强激子-等离子体耦合与杂化 <sup>*</sup>
摘要: 我们研究了一种由银环与单层WS2通过J-聚集体分隔的有机-无机杂化体系中的强激子-等离子体耦合及Frenkel(F)与Wannier-Mott(WM)激子之间的等离子体介导杂化现象。采用耦合振子模型计算的该杂化体系消光光谱与有限时域差分法模拟结果一致。计算结果表明:F激子、WM激子与局域表面等离子体共振(LSPR)之间的强耦合导致消光光谱中出现三个激子-等离子体复合分支。通过分析这三个分支中F激子、WM激子与LSPR模式的权重效率,可解析体系中的激子极化激元特性。此外,通过调控F或WM激子共振峰还可实现对两种不同激子与LSPR之间强耦合的操控。
关键词: 耦合振子模型、时域有限差分法、局域表面等离子体共振、等离激元纳米腔、激子-等离激元耦合、芬克尔激子、有机-无机杂化体系、万尼尔-莫特激子
更新于2025-09-23 15:21:01
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基于水性电解质的电沉积碘化亚铜(I)硫氰酸盐(CuSCN)空穴注入层的有机发光二极管
摘要: 碘化亚铜(CuSCN)因其卓越的光电性能和工艺适应性,在光电子领域备受关注。研究团队首次采用水性电解液电沉积法制备了集成CuSCN晶体薄膜的有机发光二极管(OLED)。通过精确调控沉积参数,成功获得了表面粗糙度适宜、晶粒密度充分的CuSCN薄膜。实验发现:以电沉积CuSCN作为空穴注入层(HIL)的OLED器件,其驱动电压(100 mA/cm2电流密度下的工作电压)和启亮电压较采用真空蒸镀过渡金属氧化物空穴注入层三氧化钼(MoO?)的器件分别降低了1.41V和1.79V。此外,所制OLED还表现出显著改善的效率滚降现象。通过光学与能级分析揭示了性能提升机制:高效空穴注入、电子阻挡、优化的电荷平衡、增强的光学特性以及电沉积CuSCN与热蒸镀有机体系良好的兼容性,是器件性能提升的主要原因。
关键词: 电沉积、硫氰酸亚铜、空穴注入、有机-无机杂化体系、有机发光二极管、碘化亚铜
更新于2025-09-11 14:15:04