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为增强现实头显设计适用于极亮环境的全彩LED微显示器尺寸
摘要： 本文聚焦于航空电子应用中一款超高亮度全彩10微米间距发光二极管（LED）微显示器的尺寸设计。基于增强现实光学系统所用头戴式显示器的规格要求，提出了一种理论方法，可预测微显示器制造工艺流程中主要技术?？榈墓娓癫问Ｍü酆峡悸蔷】赡芴导实母骼嗖牧嫌牍ひ詹问?，能够评估超高亮度LED微显示器（全白光100万坎德拉/平方米）的可行性并指出主要限制因素。随后将理论规格与H2020"清洁天空"HILICO项目迄今取得的技术成果进行对比，结果表明：若采用外量子效率稳定在30%的色彩转换方案，现有氮化镓（GaN）微LED技术可实现35万坎德拉/平方米的白光发射。要突破该亮度水平，需采用能实现更高外量子效率（EQE）的材料——具体而言，需要电致发光EQE达15%、色彩转换EQE接近60%的10微米间距微LED，这为未来具有挑战性的材料与技术研发指明了方向。
关键词： 有源矩阵、高亮度、微显示器、氮化镓、色彩转换
更新于2025-09-23 15:21:01
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P-9.14：采用IGZO TFT背板的高透明有源矩阵Mini-LED全彩显示器
摘要： 本文展示了一种具有超过60%高透光率的主动矩阵Mini LED全彩显示器。我们演示了一款8英寸采用RGB Mini-LED与IGZO TFT背板的显示器，其像素分辨率为46 PPI，具备256级灰度，像素间距小于0.55毫米。这是首次基于RGB Mini-LED和采用顶栅结构IGZO TFT背板的玻璃覆晶技术实现全彩显示器。我们认为这为开发大尺寸Micro LED背板及显示器提供了良好的突破与示范。
关键词： 高透明，全彩，IGZO玻璃背板，有源矩阵，透明，有源矩阵，微型LED，RGB Mini-LED芯片
更新于2025-09-19 17:13:59
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一种用于全集成AMLED微显示系统的多相开关电容转换器
摘要： 一款全集成开关电容（SC）直流-直流转换器专为有源矩阵发光二极管（AMLED）微显示系统供电而设计。采用具有三种电压转换比的堆叠晶体管技术，以适应2.6V至4.2V的锂离子电池电压范围并降低开关损耗。通过101相交错方案实现：(1)显著减小输出电压纹波ΔVO；(2)无需外部输出电容；(3)将SC功率单元物理级联环绕LED阵列及驱动器以降低导通损耗。采用0.18μm 1P6M CMOS工艺设计了两款测试芯片：首款为纯SC转换器测试芯片，输出电压4.2V，实测最大ΔVO为52mV，功率密度74.4mW/mm2，峰值效率81%，最大输出功率258mW；第二款为系统芯片，通过倒装封装集成SC转换器与AMLED阵列及驱动器，在SC模式下提供216mW最大功率并实现78%峰值效率，线性稳压模式下峰值效率达91%。
关键词： AMLED、微显示器、稳压器、LED驱动器、有源矩阵、SC转换器、DC-DC转换器、微型显示器、多相交错、电池连接、开关电容转换器
更新于2025-09-16 10:30:52
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30.2： <i>邀请论文：</i> 采用IGZO TFT背板的RGB芯片全彩有源矩阵Micro-LED透明显示器
摘要： 本文首次报道了基于顶栅IGZO薄膜晶体管（TFT）背板的高透明度（超过40%）全彩有源矩阵微LED（AMLEDs）显示器。该AMLEDs显示器成功采用倒装芯片RGB微LED开发而成，可实现超过108% NTSC色域，同时显示器亮度超过400尼特。
关键词： 微发光二极管、有源矩阵、高透明、全彩、氧化铟镓锌薄膜晶体管背板
更新于2025-09-11 14:15:04
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具有整体式液态金属互连的可拉伸氧化物薄膜晶体管有源矩阵
摘要： 我们展示了一种制造可拉伸氧化物薄膜晶体管（TFT）有源矩阵的新工艺方案，其中TFT与刚性岛上的两层金属交叉点通过基于光刻技术（兼容传统柔性电路工艺）的液态金属互连，在弹性体基质中实现单片集成。由于该液态金属互连技术能提供高集成密度和机械耐久性，符合可拉伸显示器或电子皮肤的需求。我们在20×20平方毫米区域内制备了4×4的氧化物TFT有源矩阵，该矩阵在40%拉伸应变下仍能稳定工作。
关键词： 液态金属互连、氧化物薄膜晶体管、有源矩阵、光刻技术、可拉伸电子器件
更新于2025-09-04 15:30:14