[IEEE 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 西班牙马德里(2018年9月23日-25日)] 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 具有集成有源限幅器的鲁棒X波段氮化镓低噪声放大器

摘要： 本文报道了采用商用0.25微米微带GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺的X波段单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）的设计与测量。通过测量中采用的新型有源限幅方法，单芯片实现了低于1.75分贝的噪声系数（NF）和高于16瓦连续波输入功率的耐受能力。据作者所知，该LNA在给定噪声系数水平下具有最高的输入功率处理性能——尽管晶体管并非针对低噪声操作优化，且输入匹配网络是在噪声系数与优于10分贝的输入回波损耗之间折衷实现的。该成果对实现单芯片GaN前端收发机架构具有重要前景。