InP/ZnSe、S核/壳量子点中由晶格失配和壳层厚度引起的应变——材料刚度的影响

摘要： 我们通过拉曼光谱研究了在InP量子点外延生长低晶格常数材料ZnSe和ZnS壳层时应变积累的情况。这两种材料都会在量子点核区诱导产生压应变，且该应变随壳层体积增大而增强。我们观察到两种材料壳层行为存在差异：其厚度依赖性表明材料刚度会产生影响。ZnS具有更大的杨氏模量，只需较少材料即可在界面处对InP晶格产生应力；而ZnSe则需要多层结构才能在界面形成诱发应变的晶格。这提示材料刚度是设计应变核/壳量子点时需考虑的额外参数。