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硅衬底上镁掺杂氮化镓薄膜的位错弯曲与应力演变
摘要： 采用镁（Mg）进行P型掺杂对于实现包含大量位错的异质外延薄膜的各类III族氮化物电子和光电器件至关重要。我们通过原位曲率测量和离位透射电子显微镜研究了GaN薄膜生长过程中Mg掺入对位错和应力演变的影响，完整揭示了掺杂原子尺寸效应、位错弯曲与极性反转三者间的相互作用机制。Mg促进位错弯曲，进而在掺镁GaN薄膜中产生拉应力，因此仅当位错密度低于5×10^9 cm^-2时才能清晰观测到掺杂原子尺寸差异效应预期的压应力。当掺杂浓度超过10^19 cm^-3时出现的极性反转与螺位错密度的急剧下降相关联。我们建立了动力学应力演变模型以捕捉位错弯曲和尺寸差异效应，并实现了模型计算弯曲角与透射电镜图像测量结果的匹配。
关键词： 镁掺杂、应力演化、位错弯曲、原位曲率测量、透射电子显微镜、极性反转、氮化镓
更新于2025-09-23 15:23:52
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光氧化还原控制的NHC-硼烷对活化烯烃的β-区域选择性自由基氢硼化反应
摘要： 在本研究中，我们报道了在光氧化还原催化作用下，NHC-BH3对α,β-不饱和酰胺实现前所未有的β-区域选择性自由基逆氢硼化反应（与离子型氢硼化反应相比）。密度泛函理论（DFT）计算表明，独特的循环过程是控制β-区域选择性自由基氢硼化的关键因素，这使得该路径能垒低于其他反应途径。该方法在温和条件下以合成上有用的产率，为构建多种结构多样的β-硼酸酯酰胺提供了一条通用且便捷的途径。
关键词： 区域选择性硼氢化、光氧化还原催化、自由基硼化、极性反转
更新于2025-09-23 15:19:57
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硅上氮化物的共晶形成、V/III比及可控极性反转
摘要： 通过等离子体辅助分子束外延在Si(111)衬底上生长的AlN晶体，在平面边界处其极性被有意地从N极性反转为Al极性。该反转边界的位置通过两步生长工艺控制——该工艺使生长条件从富铝环境突然转变为富氮环境。这种极性反转由硅元素引发：在AlN生长初期形成的铝硅共晶层会融入其中，并在富铝生长条件下漂浮于AlN表面。当生长条件转为富氮时，共晶层中的铝和硅与额外氮通量发生反应并掺入固态AlN薄膜中。由于铝硅共晶形成量相对较低，加之硅掺入量的横向差异，导致极性反转不均匀并形成出人意料地狭窄垂直反转畴。结果表明：有意掺入均匀硅层的方法，可能为制备极性工程氮化物结构提供新途径。
关键词： 氮化铝、硅掺杂、扫描透射电子显微镜、极性反转、氮化物结构、共晶层
更新于2025-09-16 10:30:52
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仿生自由基Stetter反应：离子对光催化实现自由基极性反转
摘要： 一种受生物启发的α-酮酸与醛的分子间自由基Stetter反应被公开，该反应基于形式上的"自由基极性反转"概念。通过仲胺活化实现，静电识别确保作为潜在?；杂苫摩?酮羧酸与原位生成的亚胺盐保持邻近。这种光活性接触离子对是电子给体-受体(EDA)复合物，在自由基-自由基重组前经历易发生的单电子转移(SET)和快速脱羧。重要的是，该策略减轻了脱羰作用。该过程所基于的初始计算验证与实验结果高度吻合。有机催化与光催化活化原理的协同最终将经典Stetter反应的机制和合成范围扩展至包含α,β-不饱和醛作为受体。
关键词： 离子对、极性反转、Stetter反应、自由基、静电
更新于2025-09-10 09:29:36