氧化镓 || (?201)β-Ga2O3上电介质的能带排列

摘要： β-Ga2O3是一种极具吸引力的宽直接带隙半导体（约4.9电子伏特），适用于功率电子器件、真正的日盲紫外探测及极端环境应用[1-16]。在Ga2O3的五种晶相中，β单斜晶构型最为突出——目前商业上已能提供直径达4英寸的晶圆，随着工艺进一步优化及更多晶体生长企业进入市场，其价格预计将在未来几年显著下降。α和ε构型在确定生长参数方面已被证实更具挑战性。氢化物气相外延法（HVPE）对这两种晶相的生长虽展现出一定潜力，但仍需大量开发工作。因此，本章所有讨论均针对β相展开。