樟脑磺酸掺杂聚(3-己基噻吩)纳米薄膜：光学与电学性能

摘要： 本文报道了采用简单线棒涂布法在不同基底温度下于玻璃表面制备樟脑磺酸（CSA）掺杂聚(3-己基噻吩)（P3HT）纳米薄膜的工艺及其表征研究。通过原子力显微镜（AFM）、紫外-可见光谱、荧光光谱、X射线衍射、NKD光谱、扫描电镜及直流电学测试，系统分析了所制备纳米薄膜的光谱学、光学、结构及电学特性。详细电学表征表明：当薄膜经CSA掺杂后导电性显著提升，在40°C制备温度下电导率从5.89×10?? S/cm增至1.39×10?? S/cm。由此证实基底温度对薄膜结构及光谱特性具有重要影响。此外，CSA掺杂会改变光学性质，尤其在40°C制备条件下表现显著。