- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
FTO-TiO?光催化电降解三苯基氯化锡耦合光电芬顿：机理研究
摘要： 基于氟掺杂氧化锡（FTO）上沉积的二氧化钛（TiO?）纳米颗粒，我们合成了一种高效、简单且稳定的透明光阳极，用于有机金属污染物三苯基氯化锡（TPTCl）的光电催化降解。与大多数光电催化（PEC）研究不同，研究发现FTO-TiO?是一种优异的阳极材料，通过电化学诱导的高价带空穴（hVB+，暗PEC）作用，在高阳极电位下对有机污染物具有出色的降解/矿化能力，其表现类似于所谓的"非活性"阳极（如高效的硼掺杂金刚石电极BDD）。在紫外光照射下TiO?的光激发（PEC）以及与光电芬顿（PEC-PEF）的耦合进一步提升了电催化效率：这使得TPTCl在15分钟内完全降解（表观速率常数kapp=0.274 min?1），并在2小时内实现完全矿化。通过电化学测量和化学探针详细研究了调控光电催化过程的机理，并提出了TPTCl的矿化路径。
关键词： 光电芬顿、光电催化、氟掺杂氧化锡、有机锡污染物、暗态光电化学
更新于2025-09-23 15:21:01
-
掺氟氧化锡（FTO）薄膜的脉冲喷雾热解法合成及其结构、形貌、光学与电学特性表征
摘要： 本文报道了采用气动喷雾热解（PSP）技术制备氟掺杂氧化锡（FTO）薄膜的研究。实验在450°C条件下于玻璃基底上沉积了厚度约125 nm的薄膜，分别采用F/Sn摩尔比为0、0.2、0.35、0.5、0.65和0.85的工艺参数。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外-可见光谱及霍尔效应等技术对样品进行表征。XRD结果显示FTO薄膜为具有四方金红石结构的polycrystalline多晶材料，且沿(110)晶面呈现择优取向。SEM研究表明薄膜形貌完全受F/Sn比增加的影响，计算得晶粒平均尺寸为10-35 nm。光学透射谱显示薄膜在可见光区具有约80-90%的高透过率，光学带隙范围为3.70-4.07 eV。通过改变F/Sn比研究了薄膜的电学与光学性能，其中最优FTO薄膜（F/Sn=0.5）在λ=400 nm处展现出约8.05×10?3 (Ω?1)的最高品质因数值。这种兼具高导电性与透明性的FTO薄膜因其多功能特性，在多个领域具有重要应用前景。
关键词： 气动喷雾热解法（PSP）、氟掺杂氧化锡（FTO）、薄膜
更新于2025-09-23 21:49:59
-
化学机械抛光对钙钛矿太阳能电池透明电极表面处理的影响
摘要： 钙钛矿太阳能电池（PSCs）通常采用旋涂法制备。在制备过程中，基底上各涂层间的能量转换对表面状态要求极高。这类电池具有透明电极层、钙钛矿层和金属电极等多层堆叠结构，所有涂层的效率与均匀性均取决于玻璃基底上透明电极的表面状态。目前虽已引入化学蚀刻法通过降低表面粗糙度来获得平整均匀的基底，但高活性化学处理会危害环境。本研究采用环保型化学机械抛光（CMP）工艺，确保氟掺杂氧化锡（FTO）基底获得光滑表面。在沉积钙钛矿层和电子传输层（ETL）前，先在FTO基底上涂覆TiO2层，并通过CMP抛光FTO基底表面。结果表明，经CMP处理的FTO基底呈现光滑表面，且采用该工艺的PSCs无需进行常规TiCl4处理。
关键词： 钙钛矿、表面、太阳能电池、化学机械抛光、氟掺杂氧化锡
更新于2025-09-16 10:30:52
-
无金属光控制备氟化抗污膜
摘要： 我们报道了一种新型光控合成路线，用于制备含氟薄膜以保护氧化铟锡（ITO）及其衍生物（如氟掺杂氧化锡（FTO）镀膜玻璃）免受氧化。通过紫外光源成功采用了一种成本较低、无色/无金属的有机吩噻嗪类光催化剂进行原子转移自由基聚合（ATRP）来改性基底。该氟薄膜与水的接触角（CA）为105.1°，前进角为112.2°，后退角为84.6°，表现出疏水特性并具有自清洁和防污性能。我们的氟化导电玻璃在可见光波长范围内的光学透过率高达80-90%。这项工作展示了其在电子设备防污方面的巨大价值，可?；ど璞该馐芑饣肪持械幕廴疽约案呶潞突质吹挠跋?。
关键词： 原子转移自由基聚合（ATRP）、氧化铟锡（ITO）、光控、聚合物刷、氟掺杂氧化锡（FTO）
更新于2025-09-12 10:27:22
-
不同辐射方向下掺氟氧化锡的紫外激光图案化
摘要： 多层结构中薄膜的选择性激光图案化是制造光电子和微电子器件的一项新兴技术。随着紫外（UV）激光在电子制造中的应用日益广泛，本研究对比了氟掺杂氧化锡（FTO）薄膜的正反面紫外激光图案化效果。我们总结出背面烧蚀（BSA）聚焦偏移量的计算公式，并系统分析了激光烧蚀坑尺寸、玻璃基底损伤与激光烧蚀参数之间的关系。此外，本文还详细阐述了背面烧蚀（BSA）与正面烧蚀（FSA）的激光烧蚀过程及作用机制。
关键词： 背面烧蚀，355纳米紫外激光，氟掺杂氧化锡
更新于2025-09-11 14:15:04
-
掺氟氧化锡薄膜生产中电子回旋共振等离子体的规?；笛芯?
摘要： 由于聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）基材为聚合物且熔点较低，需采用低温工艺在其表面沉积氟掺杂氧化锡（FTO）透明导电氧化物。电子回旋共振（ECR）等离子体系统是在低于100℃条件下制备高透明度和导电性金属氧化物的最佳方法。该系统具有高电离能和电子密度特性，但大规模沉积应用受限。通过实验室级ECR等离子体系统的数值模拟研究，设计出配备双微波发生器的大规模ECR等离子体系统。对比发现：实验室级与大规模系统制备的FTO薄膜性能相当；在大规模双线性微波发生器ECR系统中，沉积压力对电阻率和光学透过率的影响规律与实验室系统一致；基底附近活性粒子的速度分布范围（1.5×10?2至0.8×10?2 m/s）呈现高度相似性。该大规模系统制备的FTO薄膜电阻率为4.3×10?3～9.18×10?3 Ω·cm，光学透过率达86.5%～88.2%。
关键词： 双微波、电子回旋共振等离子体、电阻率、光学透过率、氟掺杂氧化锡
更新于2025-09-04 15:30:14