- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
有序六方相InN纳米棒的择优生长
摘要： 采用氢化物气相外延（HVPE）结合选区生长（SAG）技术，成功制备出具有高长径比、排列有序且垂直取向的InN纳米棒。通过调节生长温度和V/III比，在SiNx掩膜Ga极性GaN/c-Al2O3模板开孔区域实现生长。X射线衍射（XRD）与高分辨透射电镜（HR-TEM）证实这些六角形截面的纳米棒沿生长轴无旋转，具有纤锌矿结构及优异结晶质量。仅在其底部发现少量层错。光致发光（PL）谱显示0.77 eV的发射峰与InN禁带宽度相符。这项突破现有InN生长局限的重要成果，为纯InN在未来器件中的集成应用奠定了基础。
关键词： 选择性区域生长，氢化物气相外延，氮化铟，纳米棒
更新于2025-11-21 11:03:13
-
通过氢化物气相外延法在不同条件下生长的砷化镓太阳能电池评估
摘要： 在本研究中，我们使用定制的常压氢化物气相外延（HVPE）反应器对不同生长条件下制备的砷化镓（GaAs）太阳能电池进行了表征。在典型的HVPE生长过程中，涉及AsH3分解为Asx时，生长速率高度依赖于温度——由于198 kJ/mol的高动力学势垒，在660°C的低温沉积条件下生长速率被限制在约10 μm/h。本文通过抑制反应器中AsH3的分解，实现了动力学势垒显著降低至7 kJ/mol的GaAs生长。此外，我们采用未裂解的AsH3以120 μm/h的极高生长速率制备了GaAs太阳能电池。然而开路电压（VOC）从典型生长条件下（使用Asx、8 μm/h生长速率）制备电池的1.0 V降至氢化物增强生长条件下（120 μm/h生长速率）制备电池的0.95 V。VOC降低归因于掺杂分布和异质界面陡峭度的共同调制。在生长p型InGaP背面场层后残留在生长表面的少量气体，会因氢化物增强生长的高动力学特性，在后续p型GaAs基区层生长过程中被显著掺入。
关键词： B3. 太阳能电池，A3. 氢化物气相外延，B2. 半导体砷化镓，B1. 合金
更新于2025-09-23 15:19:57
-
由Cr杂质引入的GaN单晶绿色着色
摘要： 本研究考察了采用氢化物气相外延法生长的非故意掺杂氮化镓材料中呈现清晰绿色分界区的现象。通过吸收光谱和光致发光光谱进行光学分析，发现1.5至2.0电子伏特范围内的吸收带是导致绿色的成因，并且发光与激发光谱显示该吸收带与1.193电子伏特的尖锐发射峰相关。绿色区域出现这两种光学特征的现象，与二次离子质谱检测到的铬污染浓度升高有关。我们提出：绿色成因及1.193电子伏特发射线均源自Cr??的内部跃迁。
关键词： 晶体杂质、光致发光光谱、块状氮化镓、氢化物气相外延、吸收光谱
更新于2025-09-10 09:29:36
-
石英对HVPE法生长AlN中硅掺入的影响
摘要： 通过氢化物气相外延法生长氮化铝时，针对杂质吸收问题开展了研究。研究发现前驱体氯化铝会与石英玻璃发生反应，使硅元素进入反应腔室环境并最终掺入生长的氮化铝层中。为防止生长过程中III族氮化物层意外掺入硅元素，研究人员将石英材质的反应腔部件逐步替换为碳化硅玻璃部件。采用碳化硅玻璃替代石英部件后，氮化铝中的硅含量降低了三个数量级至4×101? cm?3，同时生长层中的碳浓度仍维持在101? cm?3的较低水平。
关键词： A1. 衬底，B1. 氮化物，B2. 半导体III-V族材料，A3. 氢化物气相外延，B1. 蓝宝石
更新于2025-09-09 09:28:46
-
氧化镓 || (?201)β-Ga2O3上电介质的能带排列
摘要： β-Ga2O3是一种极具吸引力的宽直接带隙半导体（约4.9电子伏特），适用于功率电子器件、真正的日盲紫外探测及极端环境应用[1-16]。在Ga2O3的五种晶相中，β单斜晶构型最为突出——目前商业上已能提供直径达4英寸的晶圆，随着工艺进一步优化及更多晶体生长企业进入市场，其价格预计将在未来几年显著下降。α和ε构型在确定生长参数方面已被证实更具挑战性。氢化物气相外延法（HVPE）对这两种晶相的生长虽展现出一定潜力，但仍需大量开发工作。因此，本章所有讨论均针对β相展开。
关键词： 极端环境应用、β-氧化镓、紫外探测、功率电子学、氢化物气相外延、单斜晶构型、带隙
更新于2025-09-09 09:28:46