一种用于背发射极硅异质结太阳能电池前表面场钝化隧穿氧化物的原位形成工艺

摘要： 开发了一种通过CO2等离子体处理本征氢化非晶硅来形成超薄氧化硅（SiOx）层（即钝化隧穿层PTLs）的新方法，用于制备钝化隧穿接触。这些接触是通过沉积PTL/n型氢化纳米晶硅层（nc-Si:H(n)）/c-Si(n)叠层形成的。结果表明，较高的CO2等离子体处理压力更有利于在氧化硅薄膜中形成富氧组分（含Si2+、Si3+和Si4+峰），并使PTL/c-Si异质界面更平滑。具有更高氧化态和更低表面粗糙度的PTLs对c-Si表面钝化表现出优势，最大隐含开路电压约为743 mV。采用nc-Si:H(n)/PTL/c-Si(n)作为钝化隧穿接触时，获得了最低约60 mΩcm2的接触电阻率。最重要的是，原位工艺有助于防止器件制备过程中异质界面的污染。