- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
后氧化退火对4H-SiC/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> MOS电容器电学特性及界面的影响
摘要： 本文报道了退火形成气体对原子层沉积（ALD）法制备的Al2O3/SiC MOS电容器C-V特性和稳定性的影响。通过C-V和I-V测试评估了Al2O3层及Al2O3/SiC界面的质量。与沉积态样品相比，高温下在形成气体中进行氧化后退火（POA）改善了C-V特性的稳定性以及Al2O3/SiC电容器的界面性能。然而，随着退火温度升高，氧化层电容和氧化层击穿电场强度出现下降。该结果为通过优化退火温度来提升4H-SiC器件中Al2O3/SiC电容器的性能提供了依据。
关键词： 形成气体，氧化铝，原子层沉积，界面态密度，4H-碳化硅
更新于2025-09-23 15:21:21
-
薄膜太阳能电池
摘要： 铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池存在背接触处的高复合损耗以及前接触层的寄生吸收问题。介电钝化层能克服这些限制，实现对界面复合的有效控制——随着薄膜太阳能电池效率提升且厚度减薄以减少贵金属消耗，这一特性变得愈发重要。我们展示了通过原子层沉积技术在CIGS上制备的氧化物基钝化层的光电与化学界面特性。适当的沉积后退火工艺可消除有害界面缺陷并促使CIGS表面重构氧化。不同钝化方案的光电界面特性高度相似，证明无论钝化氧化物中采用何种金属元素，都能有效抑制界面态。当使用氧化铝（Al2O3）作为钝化层时，我们证实其界面电荷会产生额外的场效应钝化作用，形成优于最先进硫化镉（CdS）缓冲层的界面钝化效果?；诟没Ы缑婺Ｐ?，我们开发出无需接触图案化的全区域背面界面钝化层，相比标准钼背接触实现了1%的绝对效率提升。
关键词： 铜铟镓硒（CIGS）、硫化镉（CdS）、原子层沉积、氧化、薄膜太阳能电池、复合损耗、氧化铝（Al2O3）、界面钝化
更新于2025-09-23 15:21:01
-
《陶瓷工程与科学会议录：纳米结构与多功能材料的先进加工与制造技术（第38届国际先进陶瓷及复合材料会议论文集，2014年1月27-31日，美国佛罗里达州代托纳海滩）》||《基于高精度光学显微镜的小型陶瓷产品氧化铝压痕断裂韧性的先进测量方法》
摘要： 十三家实验室对两种不同纯度氧化铝的压痕断裂阻力（KIFR）开展了循环比对试验，旨在验证采用高倍光学显微镜的IF方法可靠性。我们新方法采用40倍或50倍物镜配合移动载物台来降低裂纹长度测量误差。在98N载荷下压痕的两个样品，其KIFR标准偏差分别为0.3和0.2 MPa·m1/2（对应平均KIFR为4.3和3.6 MPa·m1/2），表明各实验室间数据匹配良好。所有参与者测得的两个样品KIFR总平均值，仅比作者用返还样品复测值高出0.4 MPa·m1/2，显示该新技术改进空间有限。结合本研究与先前SiC、Si3N4陶瓷的两轮循环比对结果可知：由于三大主要陶瓷的KIFR重现性均得到合理验证，IF方法的可靠性已达到充分可靠的水平。
关键词： KIFR、氧化铝、压痕断裂抗力、光学显微镜、循环测试
更新于2025-09-23 15:21:01
-
用于汽车激光前照灯的荧光陶瓷制备及其发光性能
摘要： 我们报道了采用α-Al2O3作为功能材料制备汽车激光前照灯用陶瓷荧光板(CPP)的工艺优化。由于α-Al2O3材料的六方结构具有光散射特性，随着α-Al2O3含量增加，所制备的CPP显示出更高的发光特性。我们研究了α-Al2O3与CPP厚度之间的相关性。根据单一变量调整，CPP的发光性能得到改善和优化。研究发现，所制备的样品是未来汽车前照灯固态激光照明应用的潜在材料。
关键词： α-氧化铝、发光性能、厚度、激光二极管、陶瓷荧光板
更新于2025-09-23 15:21:01
-
采用三异丙醇铝（ATIP）的氧化铝（Al?O?）原子层沉积：一项实验与理论相结合的研究
摘要： 铝前驱体在Al2O3原子层沉积（ALD）过程中起着关键作用。迄今为止，三甲基铝（TMA）是实验和理论研究中最广泛使用的前驱体之一。然而，由于三甲基铝具有自燃性且与水极度反应，在工业规模应用中可能存在安全风险。铝醇盐提供了有前景的替代方案，但受到的关注较少。本研究以三异丙醇铝（ATIP）作为铝醇盐前驱体的典型代表，对Al2O3 ALD过程进行了理论与实验相结合的研究。实验结果表明，在150°C至175°C温度范围内，采用ATIP与水的热ALD过程具有1.8 ?/周期的最大生长速率（GPC）?；谠恢势追治龊兔芏确汉砺郏―FT）计算，氧化铝薄膜的形成主要发生在水脉冲阶段，通过水与吸附前驱体之间的配体交换反应实现；而在ATIP脉冲阶段仅发生ATIP的吸附和/或其解离。设计以醇盐基团为基本配体的杂配体前驱体虽具挑战性，但对未来工业规模的Al2O3 ALD极具前景。
关键词： Al2O3（氧化铝）、DFT计算（密度泛函理论计算）、原子层沉积、三异丙醇铝、配体交换反应
更新于2025-09-23 15:19:57
-
通过激光熔覆修复摩擦表面
摘要： 该论文研究了用于修复摩擦表面的耐磨涂层激光熔覆技术。文中描述了熔覆工艺过程的参数模式，并展示了磨损测试结果?；贜i-Cr-B-Si与氧化铝体系的耐磨涂层，其耐磨性超过30HGSA钢11.5倍。
关键词： 耐磨涂层、氧化铝、摩擦表面、镍铬硼硅合金、激光熔覆
更新于2025-09-23 15:19:57
-
采用可扩展化学气相生长法，通过氧化应力衬层实现高性能单层二硫化钼光电探测器
摘要： 二硫化钼（MoS2）作为二维半导体的典型代表，因其可调带隙特性在光电器件应用中得到了广泛研究。然而，由于比表面积大，目前制备的光电探测器性能对环境极为敏感。本研究报道了采用原子层沉积技术生长3纳米氧化铝（Al2O3）保护层的大规模高性能单层MoS2光电探测器。与未覆盖Al2O3应力衬层的器件相比，在460纳米光照下，光电流和响应度均提升超过10倍，这归因于Al2O3层引入的拉应变。进一步表征显示该器件具有最先进的性能指标：响应度达16.103 A W?1，增益为191.80，噪声等效功率（NEP）为7.96×10?15 W Hz?1/2，探测率达2.73×1010琼斯。同时，由于Al2O3应力衬层提高了电子迁移率并减少了表面缺陷，光电探测器的响应上升时间也显著缩短。本研究表明，大规模应变单层MoS2光电探测器在下一代成像系统中具有重要应用潜力。
关键词： 光电探测器，氧化铝，应力衬层，单层二硫化钼
更新于2025-09-23 15:19:57
-
通过钙钛矿太阳能电池的活性封装实现界面改性以增强运行稳定性
摘要： 封装层通常是光伏器件中提供外部刺激降解防护的被动组件。本文通过综合物理分析揭示了非晶氧化铝（ALD法制备）封装层在混合钙钛矿[(FA0.83MA0.17)0.95Cs0.05PbI2.5Br0.5]光伏器件（结构：玻璃/FTO/SnO2/钙钛矿/spiro-OMeTAD/Au/(6)Al2O3）中表现出的显著非被动活性特性——该封装层本应仅起被动防护作用。结合多种电学表征技术发现：ALD化学过程会显著增强空穴传输层spiro-OMeTAD的电导率，从而改变钙钛矿/HTM界面电子特性。这种改性界面能更高效提取空穴并减少界面离子累积，在持续运行过程中既大幅降低老化衰减，又基本保持电荷传输参数稳定。与未封装器件相比，Al2O3涂层器件中修饰的电子结构是性能稳定性提升的主要原因。数据显示：未封装器件中spiro-OMeTAD/钙钛矿界面的离子累积会引发器件性能退化，继而诱发材料劣化；而主动封装可有效避免这一过程。
关键词： 封装，氧化铝，原子层沉积，操作稳定性，钙钛矿太阳能电池
更新于2025-09-23 15:19:57
-
采用磁力研磨工艺对硅片进行抛光的数值-实验研究
摘要： 硅片作为一种脆性材料，在半导体领域应用广泛。该材料的表面质量会显著影响相关元器件的品质与加工效率。本研究采用SPH/FEM耦合算法模拟磁流变抛光工艺对硅片的表面抛光过程，通过仿真与实验综合分析了转速和加工间隙对表面粗糙度变化率（%?Ra）及材料去除量（MR）的影响，并利用原子力显微镜探究了硅片表面的材料去除机制。观测发现微断裂与微切削两种机制可能同时发生，且高度依赖于抛光参数。仿真与实验数据表明：随着转速提升和加工间隙减小，MR值与%?Ra值均会增大。实验测得最大%?Ra为65%，最大MR值为39.09毫克。
关键词： 材料去除、表面粗糙度、磁性磨料光整加工、Al2O3（氧化铝）、有限元法/光滑粒子流体动力学法、硅片、纳米光整加工
更新于2025-09-23 23:14:29
-
采用基于原子层沉积（PEALD）的Al2O3/有机-无机纳米杂化层交替结构的高级薄型气体阻隔薄膜
摘要： 在本研究中，我们报道了一种基于等离子体增强原子层沉积（PEALD）的Al2O3/有机-无机（O-I）纳米杂化气体阻隔膜，该薄膜展现出极低的水蒸气透过率（WVTR）、高渗透活化能、优异的可见光透光率以及良好的柔韧性。通过电学钙测试测得，我们制备的4对PEALD基Al2O3/O-I纳米杂化气体阻隔膜的WVTR值为7.83 × 10?5 g/m2/天（60°C，90%相对湿度），渗透活化能为103.10 kJ/mol。其可见光透光率达到96.14%，临界弯曲半径为7-9毫米。在PEALD基Al2O3层间引入O-I纳米杂化层显著提升了气体阻隔膜在防腐性、附着力和柔韧性方面的性能。
关键词： 防腐、封装、等离子体增强原子层沉积（PEALD）、溶胶-凝胶法、纳米粒子、有机-无机纳米杂化材料、氧化铝（Al2O3）
更新于2025-09-24 00:37:42