n-ZnO/p-Si异质结的CuI薄层界面钝化

摘要： ZnO/Si异质结二极管可与硅工艺集成，近年来备受关注。然而，ZnO/Si异质结界面存在的大量界面态可能对其光电性能产生不利影响。本研究在p型Si衬底上沉积n型ZnO薄膜形成n-ZnO/p-Si异质结基底，并通过在ZnO/p-Si异质结界面插入薄层CuI薄膜作为界面钝化层来钝化ZnO/Si界面。通过I-V和C-V特性曲线等电学表征证实：该异质结的正向电流注入增强、反向电流降低且整流比提升，其性能得到显著改善。结果表明界面钝化对ZnO/Si异质结至关重要。