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具有W肖特基接触的β-Ga?O?二极管在高达500°C下的温度依赖性电学特性
摘要： 对于Ga?O?高功率整流器而言，开发能在高温下工作且具有热稳定性的接触层至关重要。我们测量了溅射沉积的W肖特基接触（其上覆盖Au层以降低n型Ga?O?薄层电阻）在器件工作温度高达500°C前后的电学特性。假设热电子发射占主导地位时，提取的势垒高度随测量温度从0.97 eV（25°C）降至0.39 eV（500°C），但在每次相应工作温度冷却后与初始值0.97 eV相比变化甚微。该室温值与通过测定存在W时Ga 3d芯能级结合能与Ga?O?价带之间能量差所得结果相当（本例中为0.80±0.2 eV）。根据温度依赖的电流-电压特性，理查德森常数为54.05 A·cm?2·K?2，零偏压下的有效肖特基势垒高度(eφb?)为0.92 eV。W/Au的反向击穿电压温度系数为0.16 V/K，Ni/Au为0.12 V/K?；赪的接触比传统Ni基肖特基接触在Ga?O?上更具热稳定性，但在500°C器件工作后确实显示出Ga通过接触层迁移的证据。
关键词： 电气特性、热稳定性、高温运行、氧化镓（Ga?O?）、肖特基接触
更新于2025-09-23 15:23:52
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基于超宽禁带Ga2O3半导体的肖特基势垒二极管在功率电子学应用中的概述
摘要： 氧化镓（Ga2O3）是一种具有超宽禁带、高击穿电场和优异巴利加优值（BFOM）的新型半导体材料，是肖特基势垒二极管（SBD）等下一代高功率器件的理想候选材料。本文分析了Ga2O3半导体的基本物理特性，综述了基于Ga2O3的SBD最新研究进展，总结了提升器件击穿电压和导通电阻等性能的各种方法并进行比较，最后分析了Ga2O3基SBD在功率电子领域的应用前景。
关键词： 击穿电场、巴利加优值、导通电阻、超宽禁带半导体、氧化镓（Ga?O?）、功率器件、肖特基势垒二极管（SBD）
更新于2025-09-23 15:22:29
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基于超宽禁带Ga?O?半导体材料的功率场效应晶体管研究进展
摘要： 作为一种极具潜力的超宽禁带半导体，氧化镓（Ga?O?）近年来受到越来越多的关注。其高理论击穿电场强度（8兆伏/厘米）、超宽禁带宽度（约4.8电子伏特）以及优异的巴利加优值（BFOM），使它成为下一代高功率电子器件（包括二极管和场效应晶体管FET）的潜在候选材料。本文介绍了Ga?O?单晶的基本物理特性，综述了基于Ga?O?的场效应晶体管的最新研究进展。此外，还总结并比较了各类FET结构，初步揭示了Ga?O?的潜力。最后，分析了基于Ga?O?的FET在功率电子应用中的前景。
关键词： 超宽带隙半导体、场效应晶体管（FET）、功率器件、氧化镓（Ga?O?）
更新于2025-09-23 02:06:39