- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
采用等离子体辅助分子束外延（MBE）技术在硅衬底上制备的AlN/GaN和AlN/AlGaN/GaN薄膜的结构与光学特性
摘要： 本研究采用等离子体辅助分子束外延（MBE）技术在硅衬底上成功制备了氮化铝/氮化镓（AlN/GaN）和氮化铝/氮化铝镓/氮化镓（AlN/AlGaN/GaN）层状异质结构。分别使用高纯度镓（7N）和铝（6N5）生长GaN、AlN及AlGaN材料。通过原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）、光致发光光谱（PL）和拉曼光谱对制备的AlN/GaN与AlN/AlGaN/GaN异质结构的结构及光学特性进行了研究。AFM测量显示AlN/GaN和AlN/AlGaN/GaN异质结构的表面粗糙度均方根值分别为3.677纳米和10.333纳米。XRD数据表明样品具有典型的六方结构衍射图谱。拉曼光谱揭示两个样品中均存在全部四种拉曼活性振动模式。PL光谱数据显示未出现对应于AlN缺陷深能级的黄光发射，因此PL观测表明AlN/GaN和AlN/AlGaN/GaN薄膜具有良好的光学品质，在光电子学、光伏及射频应用等多个目标领域展现出应用前景。
关键词： 硅、薄膜、分子束外延、氮化铝、氮化镓、氮化铝镓
更新于2025-09-23 15:23:52
-
热原子层沉积AlN在GaN上改进的界面特性
摘要： 研究了原子层沉积氮化铝（AlN）在n型氮化镓（GaN）衬底上的界面特性。电容-电压（C-V）特性表明，24纳米厚AlN样品的界面态密度低于7.4纳米厚AlN样品。X射线光电子能谱（XPS）分析显示，24纳米厚AlN在AlN/GaN界面附近形成了更优质的AlN。随着AlN厚度增加，Al 2p芯能级谱的主峰向较低结合能方向移动，这可能是由于AlN与GaN之间晶格失配导致的应变弛豫所致。
关键词： 原子层沉积的氮化铝，界面态密度，氮化铝/氮化镓
更新于2025-09-10 09:29:36
-
《成像与电子物理进展》|| 氮化铝/氮化镓及铟铝氮/氮化镓分布式布拉格反射镜
摘要： 本章对两种由周期性堆叠的III族氮化物层构成的分布式布拉格反射器（DBR）多层异质结构进行了高分辨率单色化扫描透射电子显微镜-电子能量损失谱（STEM-EELS）表征。这些异质结构由马德里理工大学光电子系统与微技术研究所（ISOM）E. Calleja团队生长，其中一种DBR由AlN和GaN层交替堆叠构成，另一种则采用与GaN晶格匹配的InAlN材料。通过亚纳米空间分辨率和<200 meV能量分辨率的EELS技术评估了结构的电学特性。采用零损耗峰（ZLP）扣除与解卷积方法处理EELS信号，并结合电子散射分布的理论模型进行非线性拟合分析?；诖耍枚允戎倒郊扑阌氲缱臃堑云骄杂沙滔喙氐南喽院穸?。同时采用洛伦兹模型和德鲁德自由电子模型对体等离子体峰进行拟合——如前所述，在III族氮化物合金中，该峰的能量位置可通过维加德定律关联化学成分变化；而在德鲁德等离子体模型框架下，材料结构特性信息可从振荡寿命中获取。通过实验与模拟的高角环形暗场（HAADF）图像进一步补充了这些层的结构与化学表征。最终运用克拉默斯-克勒尼希分析提取了材料的介电响应信息。本研究结果显著深化了对这些结构电光特性宏观表征的既有认知。
关键词： 氮化铝/氮化镓，铟铝氮/氮化镓，克拉默斯-克勒尼希分析，扫描透射电子显微镜-电子能量损失谱，维加德定律，等离子体峰，分布布拉格反射镜
更新于2025-09-04 15:30:14