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一款可在室温下工作的271.8纳米深紫外激光二极管
摘要: 我们展示了一种能在室温下通过电流注入工作、且波长极短的深紫外半导体激光二极管。该激光器结构生长于单晶氮化铝衬底的(0001)晶面。实测激射波长为271.8纳米,脉冲宽度50纳秒,重复频率2千赫兹。采用极化诱导掺杂包层技术实现空穴导电与注入,无需刻意杂质掺杂。即便使用这种未掺杂层,我们仍能在0.4安培的激射阈值电流下实现13.8伏特的低工作电压。
关键词: 室温工作、氮化铝衬底、深紫外、激光二极管、极化诱导掺杂
更新于2025-09-12 10:27:22
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基于肖特基二极管和氮化铝衬底的190 GHz高功率输入倍频器
摘要: 本文介绍了一款可处理高达260毫瓦输入功率的190GHz肖特基二极管倍频器(×2倍频器)的设计与开发。为提升功率处理能力,提出了一种结合计算机辅助设计(CAD)负载牵引技术的建模方法来表征二极管性能。通过该方法,定量研究了多个关键二极管参数对功率处理问题的影响,并基于分析结果设计了用于倍频器的离散二极管芯片。为确保倍频器电路快速散热,选用热导率显著优于当前广泛使用的熔融石英的低成本氮化铝陶瓷(AlN)作为电路基板介质材料。该倍频器电路采用平衡结构配置,其优势在于无需使用滤波器即可实现输入输出信号隔离。通过ANSYS的HFSS与Keysight的ADS协同仿真对倍频器电路进行优化。测试表明,该倍频器可处理高达260毫瓦输入功率,功率转换效率接近8%,在193GHz频率下产生20毫瓦输出功率。
关键词: 高功率、氮化铝衬底、肖特基二极管、CAD负载牵引、太赫兹倍频器
更新于2025-09-04 15:30:14